Mədətov Rəhim Səlim oğlu

 

Anadan olduğu yer Azərbaycan Respublikası, Şəki şəhəri
Təvəllüdü 05.09.1949 
Bitirdiyi ali təhsil müəssisəsi Bakı Dövlət Universiteti
Elmi dərəcəsi Fizika-riyaziyyat elmləri doktoru 
Elmi rütbəsi Professor 
Namizədlik (PhD) dissertasiyasının mövzusu:

-         ixtisas şifri

-         ixtisasın adı

-         mövzunun adı



01.04.10

Yarımkeçiricilər və dielektriklər fizikası

Ge-Si bərk məhlulu əsasında hazırlanmış fotodiodların fotoelektrik xassələri
Doktorluq dissertasiyasının mövzusu:

-         ixtisas şifri

-         ixtisasın adı

-         mövzunun adı

 

01.04.10; 2225.1

Yarımkeçiricilər və dielektriklər fizikası,radiasiya materuialşünaslığı 

Ge-Si p-n keçidlərində fotovoltaik və radiasiya effektləri
Çapdan çıxmış elmi əsərlərinin ümumi sayı

-         xaricdə çıxmış elmi əsərlərinin say

ı-         beynəlxalq bazalarda referatlaşdırılan və indeksləşdirilən jurnallarda çap olunan məqalələrin sayı

120

 

72

      

45 

Müəlliflik şəhadətnamələrinin və patentlərin sayı 17 
Kadr hazırlığı:

     -   fəlsəfə doktorlarının sayı

-        elmlər doktorlarının sayı


10

Əsas elmi nailiyyətləri Yarımkeçirici materiallarda və onlar əsasında hazırlanmış strukturlarda fotovoltaik və radiasiya effektlərinin tədqiqi ilə məşğulam. İlk dəfə GeSi bərk məhlulları əsasında fotoqəbuledicilər hazırlanmış və onlarda fotovoltaik və radiasiya effektləri yaranma şərtləri müəyyən olunmuşdur.Alınmış nəticələr əsasında fotoçeviricilərin praktikitədbiq üsulları işlənilmişdir.İlk dəfə Ge-Si strukturlarında elektron və qamma-kvantların təsiri ilə radiasiya stimüllaşdırıcı effekt müşahidə edilmişdir. A3B6 laylı kristallarında radiasiya effektləri öyrənilmişdir.Həmin effektlərin öyrənilməsi zamanı qamma-kvantlardan, elektron və proton şüalarından istifadə edilmişdir.Müəyyən edilmişdir ki, qamma-kvantların laylı kristallara ilkin təsiri nəticəsində keçiriciliyin qismən kompensasiyası baş verir, yüksək şüalanma dozalarında isə ilkin komplekslərin dissosiasiyası nəticəsində keçiricilik artır.Fotokeçiriciliyə təsir mexanizmi isə şüalanma zamanı yaranan defektlərin təbiətindən asılı olduğu müəyyən edilmişdir.Tədqiqatlar zamanı alınan nəticələr əsasında laylı kristalların davamlığının artırılma üsulu yaradılmışdır. Proton şüalarının təsiri Rezerfort əks səpilmə üsulu ilə tədqiq edilmişdir.Müəyyən edilmişdir ki,şüalanma zamanı yaranan defektlər anion təbiətlidir və defektlərin kristalın səthyanı və həcmdə  paylanma qaydası aşkar edilmişdir.Şüalanma dozasının qiymətinə görə amorflaşmanın astana qiyməti təyin edilmişdir.Alınmış nəticələr laylı kristallarda kvant çuxurunun yaradılmasında istifadə edilir. Yaradılan kvant çuxurlarının xassələrinin tədqiqi istiqamətində tədqiqatlar davam etdirilir.Belə çuxurların yaradılması radiasiya texnologiyasının tədbiqi ilə işıqsaçan diodların və fotoqəbuledicilərin yaradılmasına imkan verəcəkdir.     
Elmi əsərlərinin adları 1. Madatov R.S.,  Nadzhafarov A. I., Tagiev T. B., and Gazanfarov M. R. The Mechanism of a Current Passing in TlInSe2 Monocrystalsin Strong Fields. Surface Engineering and Applied Electrochemistry, 2010, Vol. 46, No. 5, pp. 497–500.

2. Р.С.Мадатов, А.И. Наджафов, Т.Б.Тагиев, М.Р., Газанфаров.Влияние ионизирующего излучения на механизм токопрохождения в монокристаллах TlInSe2. ФТТ.  2011., с. 90-95.

3. Madatov R.S.,  Nadzhafarov A. I., Tagiev T. B., and Gazanfarov M. R, The impact of ionizing radiation on the mechanism of current transition in TlInSe2 monocrystals . Recent Advances in Manufacturing Engineering.2010, pp. 69-75.

4. R. Madatov, M.Sojoudi , T.Sojoudi , P.Farhadi Achieving steady and stable energy from AlGaAs-GaAs solar cells .ETASR international journal engineering , technology and Applied science Research, 2011,№6, p.151-`154

Respublika, beynəlxalq və xarici ölkələrin elmi qurumlarında üzvlüyü   
Pedaqoji fəaliyyəti Azərbaycan Milli Aviasiya Akademiyanın fizika kafedrasının professoru
Digər fəaliyyəti   
Təltif və mükafatları

1. Azərbaycan MEA-nın təltifi - 50 illik yub.

2. Azərbaycan MEA-nın təltifi - 60 illik yub.

Əsas iş yeri və ünvanı AMEA Radiasiya Problemləri İnstitutuAZ1143, B.Vahabzadə küç., 9, Bakı şəhəri, Azərbaycan Respublikası
Vəzifəsi Laboratoriya rəhbəri
Xidməti tel. (+994 12) 5383224 
Mobil tel. (+994 50) 6609715
Ev tel. (+994 12) 5734387
Faks  
Elektron poçtu msrahim@mail.ru