Nəcəfov Bəxtiyar Ağaqulu oğlu

 

Anadan olduğu yer Erm.SSR, Sisian r-nu, Ağudi k. 
Təvəllüdü 06.06.1960
Bitirdiyi ali təhsil müəssisəsi Azərbaycan (Bakı) Dövlət Universiteti 
Elmi dərəcəsi Fizika-riyaziyyət elmlər doktoru 
Elmi rütbəsi  
Namizədlik (PhD) dissertasiyasının mövzusu:

-         ixtisas şifri

-         ixtisasın adı

-         mövzunun adı

 

01.04.10

Yarımkeçiricilər və dielektriklər fizikası

“Ge-Si bərk məhlulların (Ge1-xSiix:H) elektrofiziki və optik xassələri”

Doktorluq dissertasiyasının mövzusu:

-         ixtisas şifri

-         ixtisasın adı

-         mövzunun adı

 

2211.01

Bərk cisim fizikası

Silisium-germanium əsasında hidrogenləşmiş nazik təbəqələrdə elektron, optik proseslər və onların tətbiq perspektivləri 

Çapdan çıxmış elmi əsərlərinin ümumi sayı

-         xaricdə çıxmış elmi əsərlərinin sayı

-         beynəlxalq bazalarda referatlaşdırılan və indeksləşdirilən jurnallarda çap olunan məqalələrin sayı

90

 

70

 

20

Müəlliflik şəhadətnamələrinin və patentlərin sayı  
Kadr hazırlığı:     

-         fəlsəfə doktorlarının sayı

-        elmlər doktorlarının sayı

 
Əsas elmi nailiyyətləri 1. Aşağı temperaturlarda sıçrama mexanizmi öyrənilmişdir.

2. Sıçrama enerjisi, sıçrama məsafəsi, lokallaşmış halda dalğa funksiyası və hal sıxlığı silisium birləşmələri üçün müəyyən edilmlşdir.

3. Silisium birləşmələrində hydrogen atomunun konsentrasiyası müəyyən etmək üçün düstur verilmlşdir.

4. Çox qatlı günəş elementlərinin hazırlanması üçün struktur verilmişdir. 

Elmi əsərlərinin adları 1. Najafov B.A, Bakirov M.Y, Mamedov V.S. and Andreev A.A. Optical properties of amorphous hydrogenated amorphous a-Si0,90Ge0,10:Hx. // Phys. Stat. Solids, 1991, K 119-127.

2. Наджафов Б.А. Электрические свойства аморфных пленок твердого раствора Ge0,90Siо,10:Hх. // Физ. и Техн. Полупроводников, т. 34, в.11, 2000, c. 1383-1385.

3. Najafov B.A. Absorption, photoconductivity and current-voltage characteristics of amorphous Ge0,90Siо,10:H solid solutions. // Укр. Физ. журн., 2000, т. 45, №10, c. 1221-1224.

4. Наджафов Б.А., Исаков Г.И., Фигаров В.Р. Оптические свойства гидрогенизированных аморфных пленок твердого раствора a-Ge0,85Siо,15:H. // Прикладная физика, 2004, №4, с. 107-114.

5. Наджафов Б.А. ЭПР и ИК спектры поглошения аморфных пленок a-Sii-хGex:H. // AMEA-nın Xəbərləri, 2005, № 2, c. 139-144

6. Наджафов Б.А. Солнечные преобразователи на основе а-Si0,80Ge0,20:Hх. // Прикладная физика, 2005, с.97-102.

7. Najafov B.A. Solar cells based on a-Si0,80Ge0,20:H amorphous films. // Укр. Физ. журн., 2005, т. 50, № 5, р. 477-482.

8. Najafov B.A. and Isakov G.I. Electrical properties of amorphous Siо,60Ge0,40:Hx films. // Inorganic Materials, 2005, №7, vol. 41, p. 787-791.

9. Наджафов Б.А., Исаков Г.И. Оптические свойства аморфных пленок твердого раствора а-Si1-xGex:H c различной концентрацией водорода. // Журнал прикладной спектроскопии, 2005, т.72, № 3, c. 371-376.

10. Najafov B.A. Photovoltaic effects in a–Si0,80Ge0,10:Hx films. // Letters in International Journal for Alternativ Energy and Ecology, 2005, № 1, p. 36-38.

11. Наджафов Б.А., Исаков Г.И. Получение пленок а-Si1-хGeх:H, изменение ее параметров от состава. // ISIAEE Solar Energy, 2006, № 4, (36), p. 51-55.

12. Фиговский О.А., Наджафов Б.А., Исаков Г.И. Рост нанокристаллических структур аморфно гидрированных пленок кремния (а-Si:H). // Вестник Дома Ученых Хайфы, Специальный выпуск, Хайфа, 2008, с.14-23.

13. Najafov B.A. and Isakov G.I. Properties of аmorphous Sii-xGex:H (x=0-1) films. // Inorganic Materials, 2009, vol. 45, № 7. p. 713-718.

14. Najafov В.А., Fiqarov V.R. Hydrogen content evaluation in hydrogenated nanocrystalline silicon and its amorphous alloys with germanium and carbon. // International Journal of Hydrogen Energy, 35, 2010, р. 4361-4367.

15. Najafov B.A. and Isakov G.I. Optical and Electrical Properties of аmorphous Si1-xCx:H films. // Inorganic Materials, 2010, №,6, vol. 46, p. 624-630.

Respublika, beynəlxalq və xarici ölkələrin elmi qurumlarında üzvlüyü  Rusiya Təbiətşünaslıq Akademiyasının müxbir üzvi
Pedaqoji fəaliyyəti  
Digər fəaliyyəti   
Təltif və mükafatları 1. Rusiya Təbiətşünaslıq Akademiyasının "Rusiyanın Qızıl kafedrası" Diplomu

2. Rusiya Təbiətşünaslıq Akademiyasının "Labore Et Scientia – Bilik və Əməklə" Ordeni

3. Rusiya Təbiətşünaslıq Akademiyasının "Primus Inter Pares – Bərabər olanların arasında Birinci" Ordeni

4. Rusiya Təbiətşünaslıq Akademiyasının "Elm və Təhsil əməkdar xadimi"

Əsas iş yeri və ünvanı AMEA Radiasiya Problemləri İnstitutuAZ1143, B.Vahabzadə küç., 9, Bakı şəhəri, Azərbaycan Respublikası
Vəzifəsi Aparıcı elmi işçi
Xidməti tel. (+994 12) 5383224
Mobil tel. (+994 50) 3998966
Ev tel. (+994 12) 4771866 
Faks  
Elektron poçtu bnajafov@rambler.ru