Azərbaycan Milli Elmlər Akademiyası

Azərbaycanın ilk veb saytı (1995)

ANA SƏHİFƏ  >>  Radiasiya Problemləri İnstitutunun elmlər doktorları

Mədətov Rəhim Səlim oğlu
Anadan olduğu yer Azərbaycan Respublikası, Şəki şəhəri
Təvəllüdü 05.09.1949 
Bitirdiyi ali təhsil müəssisəsi Bakı Dövlət Universiteti
Elmi dərəcəsi Fizika-riyaziyyat elmləri  doktoru
Elmi rütbəsi Professor 
Namizədlik (PhD) dissertasiyasının mövzusu:

-         ixtisas şifri

-         ixtisasın adı

-         mövzunun adı



2220.01 (01.04.10)

Yarımkeçiricilər və dielektriklər fizikası

Ge-Si bərk məhlulu əsasında hazırlanmış fotodiodların fotoelektrik xassələri
Doktorluq dissertasiyasının mövzusu:

-         ixtisas şifri

-         ixtisasın adı

-         mövzunun adı

 

01.04.24; 2225.1

Yarımkeçiricilər və dielektriklər fizikası,radiasiya materialşünaslığı 

Ge-Si p-n keçidlərində fotovoltaik və radiasiya effektləri
Çapdan çıxmış elmi əsərlərinin ümumi sayı

-         xaricdə çıxmış elmi əsərlərinin say

ı-         beynəlxalq bazalarda referatlaşdırılan və indeksləşdirilən jurnallarda çap olunan məqalələrin sayı

150

 

72

      

45 

Müəlliflik şəhadətnamələrinin və patentlərin sayı 17 
Kadr hazırlığı:

     -   fəlsəfə doktorlarının sayı

-        elmlər doktorlarının sayı


15

Əsas elmi nailiyyətləri

Yarımkeçirici materiallarda və onlar əsasında hazırlanmış strukturlarda fotovoltaik və radiasiya effektlərinin tədqiqi ilə məşğulam. İlk dəfə GeSi bərk məhlulları əsasında fotoqəbuledicilər hazırlanmış və onlarda fotovoltaik və radiasiya effektləri yaranma şərtləri müəyyən olunmuşdur.Alınmış nəticələr əsasında fotoçeviricilərin praktikitədbiq üsulları işlənilmişdir.İlk dəfə Ge-Si strukturlarında elektron və qamma-kvantların təsiri ilə radiasiya stimüllaşdırıcı effekt müşahidə edilmişdir. A3B6 laylı kristallarında radiasiya effektləri öyrənilmişdir.Həmin effektlərin öyrənilməsi zamanı qamma-kvantlardan, elektron və proton şüalarından istifadə edilmişdir.Müəyyən edilmişdir ki, qamma-kvantların laylı kristallara ilkin təsiri nəticəsində keçiriciliyin qismən kompensasiyası baş verir, yüksək şüalanma dozalarında isə ilkin komplekslərin dissosiasiyası nəticəsində keçiricilik artır.Fotokeçiriciliyə təsir mexanizmi isə şüalanma zamanı yaranan defektlərin təbiətindən asılı olduğu müəyyən edilmişdir.Tədqiqatlar zamanı alınan nəticələr əsasında laylı kristalların davamlığının artırılma üsulu yaradılmışdır. Proton şüalarının təsiri Rezerfort əks səpilmə üsulu ilə tədqiq edilmişdir.Müəyyən edilmişdir ki,şüalanma zamanı yaranan defektlər anion təbiətlidir və defektlərin kristalın səthyanı və həcmdə  paylanma qaydası aşkar edilmişdir.Şüalanma dozasının qiymətinə görə amorflaşmanın astana qiyməti təyin edilmişdir.Alınmış nəticələr laylı kristallarda kvant çuxurunun yaradılmasında istifadə edilir. Yaradılan kvant çuxurlarının xassələrinin tədqiqi istiqamətində tədqiqatlar davam etdirilir.Belə çuxurların yaradılması radiasiya texnologiyasının tədbiqi ilə işıqsaçan diodların və fotoqəbuledicilərin yaradılmasına imkan verəcəkdir. Udulma zolagında fotokeçiriciliyin tədqiqi müxtəlif temperaturalrada və xarici elektrik sahələrində aparılmışdır.

Müəyyən struktur defektlərin (VGa ) qismən kompensasiyası baş verdiyindən GaS kristalının elektrikkeçiriciliyi azalır.  Aşqarlama zamanı akseptor və donor tipli iki yüklü lokal mərkəzin yaranması səbəbindən kation vakansiyasının - VYb və Yb-Ga kation atomunu əvəz etməsi (YbGa)  eyni zamanda baş verməsi öz-özünə kompensasiya hadisəsinin baş verməsinə şərait yaradır. Bu səbəbdən   şüalandırılmış kristalın xüsusi müqaviməti artır və fotokeçiriciliyin temperatur asılılığında termik fəallaşma və sönmə hadisələri müşahidə edilmişdir ki, laylı GaS(Yb,Sm) kristallarının udulma zolağında fotokeçiriciliyi, xarici elektrik sahəsinin təsiri ilə, səthin  energetiq səviyyələrinin qeyri-hamar potensialının  nizamlanması nəticəsində yaranır. Səth potensialının hamarlanma dərəcəsi şüalanma dozasından, aşqar atomlarının konsentrasiyasından və xarici sahənin qiymət və istiqamətindən asılıdır. H+ və He+  ionları ilə implantasiya edilmiş laylı və zəngirvari kristalların (GaS; GaS(Yb, Sm); GaSe ) udma  oblastında fotokeçiriciliyi  şüalanmanın növündən  və aşqar atomunun təbiətindən asılı olmayıb, yalnız struktur defektlərin konsentrasiyasından, termik dəmləmə temperaturundan və şüalanma dozasından asılıdır. Müəyyən edilmişdir ki,  şüalanma dozalarının kiçik qiymətlərində  ilkin defektlərin qismən kompensasiyası, yüksək dozalarda isə lokal nizamsız  amorf oblastlar yaranır, şüalandırılmış kristalların  termik dəmlənməsi zamanı isə defektlərin anniqilyasiyası nəticəsində müşahidə olunan stabil defektlər kristalların xassələrini məqsədyönlü idarə etməyə imkan verir.

Elmi əsərlərinin adları

1. Madatov R.S.,  Nadzhafarov A. I., Tagiev T. B., and Gazanfarov M. R. The Mechanism of a Current Passing in TlInSe2 Monocrystalsin Strong Fields. Surface Engineering and Applied Electrochemistry, 2010, Vol. 46, No. 5, pp. 497–500.

2. Р.С.Мадатов, А.И. Наджафов, Т.Б.Тагиев, М.Р., Газанфаров.Влияние ионизирующего излучения на механизм токопрохождения в монокристаллах TlInSe2. ФТТ.  2011., с. 90-95.

3. Madatov R.S.,  Nadzhafarov A. I., Tagiev T. B., and Gazanfarov M. R, The impact of ionizing radiation on the mechanism of current transition in TlInSe2 monocrystals . Recent Advances in Manufacturing Engineering.2010, pp. 69-75.

4. R. Madatov, M.Sojoudi , T.Sojoudi , P.Farhadi Achieving steady and stable energy from AlGaAs-GaAs solar cells .ETASR international journal engineering , technology and Applied science Research, 2011,№6, p.151-`154/

5. Мадатов Р.С., Комаров Ф.Ф., Мустафаев Ю.М., Ахмедов Ф.А. Спектрометрия ионного рассеяния и комбинационное рассеяние света в монокристаллах GaS (GaSe), подвергнутых облучению водородом с энергией 140 кэв. Физика и техника полупроводников,2015,т.49,в.5.

6. R. S. Madatov, F. F. Komarov, V. V. Pilkoc, Yu. M. Mustafayeva,F. I. Akhmedova, and M. M. Jakhangirova. Investigation on structural and optical properties of  GaS single Cristal exposed to irradiation by hydrogen with 70 keV energy. Journal of Electronic Materials. DOI: 10.1007/s11664-015-3904-4_ 2015 The Minerals, Metals  Materials Society.

7. Madatov R.S.,Alekberov A.S. Влияние примеси на спектр поглощения в кристаллах GeS. Журнал прикладной спектроскопия. 2017 ,т.84, №1,с.56.

8. A.Sadigov, R.Madatov, F.Ahmadov, S.Suleymanov- A new detector concept for silicon photo-multiplies.Nucler Instrument and method in Physics Res.,A. a 824(2016)135-136.

9. Мадатов Р.С.,Наджафов А.И. и др.Особенности электропроводности кристаллов при фото-рентгеновском возбуждениях. . Физика и техника полупроводников,2015,т.49,в.9 (РФ);

10. Tobnaghi M. D, Madatov R, Mustafayev Y, Abasov F.  Influence of Gamma Radiation on Electric Properties of Silicon Solar Cells. Int. J. Pure Appl. Sci. Technol. 2014, v. 21, no. 1, p. 12-16.

11. Мадатов Р.С.1,2, Гасымов Ш.Г.3, Бабаев С.С.3, Алекперов А.С.4, Мовсумова И.М.5, Джабаров С.Г.1,4, Особенности механизма электропроводности в γ-облученных монокристаллах TlInSe2 под гидростатическим давлением, Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, вып. 10, с.997-1002

12. Rahim MADATOV, Rakshana MAMISHOVA, Muslim MAMEDOV, Javanshir ISMAYILOV, Ulviya FARADJOVA, Electrophysical properties of Pb 1−XMnX Se epitaxial films irradiated by γ-quanta, Turkish Journal of Physics (2020), 44: р.214 – 221.

Respublika, beynəlxalq və xarici ölkələrin elmi qurumlarında üzvlüyü   
Pedaqoji fəaliyyəti Azərbaycan Milli Aviasiya Akademiyanın fizika kafedrasının professoru
Digər fəaliyyəti   
Təltif və mükafatları

1. AMEA-nın Fəxri fərmanı-50 illik yub.

2. AMEA-nın Fəxri fərmanı-60 illik yub.

Əsas iş yeri və ünvanı AMEA Radiasiya Problemləri İnstitutu, AZ1143, B.Vahabzadə küç., 9, Bakı şəhəri, Azərbaycan Respublikası
Vəzifəsi Laboratoriya rəhbəri
Xidməti tel. (+994 12) 5383224 
Mobil tel. (+994 50) 6609715
Ev tel. (+994 12) 5734387
Faks  
Elektron poçtu msrahim@mail.ru