Anadan olduğu yer | Erm.SSR, Sisian r-nu, Ağudi k. | |
Təvəllüdü | 06.06.1960 | |
Bitirdiyi ali təhsil müəssisəsi | Azərbaycan (Bakı) Dövlət Universiteti | |
Elmi dərəcəsi | Fizika elmləri doktoru | |
Elmi rütbəsi | dosent | |
Namizədlik (PhD) dissertasiyasının mövzusu:
- ixtisas şifri - ixtisasın adı - mövzunun adı |
2211.01 (01.04.07) Yarımkeçiricilər və dielektriklər fizikası Ge-Si bərk məhlulların (Ge1-xSiix:H) elektrofiziki və optik xassələri |
|
Doktorluq dissertasiyasının mövzusu:
- ixtisas şifri - ixtisasın adı - mövzunun adı |
2211.01 (01.04.07) Bərk cisim fizikası Silisium-germanium əsasında hidrogenləşmiş nazik təbəqələrdə elektron, optik proseslər və onların tətbiq perspektivləri |
|
Çapdan çıxmış elmi əsərlərinin ümumi sayı
- xaricdə çıxmış elmi əsərlərinin sayı - beynəlxalq bazalarda referatlaşdırılan və indeksləşdirilən jurnallarda çap olunan məqalələrin sayı |
105
71
24 |
|
Müəlliflik şəhadətnamələrinin və patentlərin sayı | ||
Kadr hazırlığı:
- fəlsəfə doktorlarının sayı - elmlər doktorlarının sayı |
||
Əsas elmi nailiyyətləri | 1. Aşağı temperaturlarda sıçrama mexanizmi öyrənilmişdir.
2. Sıçrama enerjisi, sıçrama məsafəsi, lokallaşmış halda dalğa funksiyası və hal sıxlığı silisium birləşmələri üçün müəyyən edilmlşdir. 3. Silisium birləşmələrində hydrogen atomunun konsentrasiyası müəyyən etmək üçün düstur verilmlşdir. 4. Çox qatlı günəş elementlərinin hazırlanması üçün struktur verilmişdir. |
|
Elmi əsərlərinin adları | 1. Najafov B.A, Bakirov M.Y, Mamedov V.S. and Andreev A.A. Optical properties of amorphous hydrogenated amorphous a-Si0,90Ge0,10:Hx. // Phys. Stat. Solids, 1991, K 119-127.
2. Наджафов Б.А. Электрические свойства аморфных пленок твердого раствора Ge0,90Siо,10:Hх. // Физ. и Техн. Полупроводников, т. 34, в.11, 2000, c. 1383-1385. 3. Najafov B.A. Absorption, photoconductivity and current-voltage characteristics of amorphous Ge0,90Siо,10:H solid solutions. // Укр. Физ. журн., 2000, т. 45, №10, c. 1221-1224. 4. Наджафов Б.А., Исаков Г.И., Фигаров В.Р. Оптические свойства гидрогенизированных аморфных пленок твердого раствора a-Ge0,85Siо,15:H. // Прикладная физика, 2004, №4, с. 107-114. 5. Наджафов Б.А. ЭПР и ИК спектры поглошения аморфных пленок a-Sii-хGex:H. // AMEA-nın Xəbərləri, 2005, № 2, c. 139-144 6. Наджафов Б.А. Солнечные преобразователи на основе а-Si0,80Ge0,20:Hх. // Прикладная физика, 2005, с.97-102. 7. Najafov B.A. Solar cells based on a-Si0,80Ge0,20:H amorphous films. // Укр. Физ. журн., 2005, т. 50, № 5, р. 477-482. 8. Najafov B.A. and Isakov G.I. Electrical properties of amorphous Siо,60Ge0,40:Hx films. // Inorganic Materials, 2005, №7, vol. 41, p. 787-791. 9. Наджафов Б.А., Исаков Г.И. Оптические свойства аморфных пленок твердого раствора а-Si1-xGex:H c различной концентрацией водорода. // Журнал прикладной спектроскопии, 2005, т.72, № 3, c. 371-376. 10. Наджафов Б.А. ЭПР и ИК спектры поглошения аморфных пленок a-Sii-хGex:H. // AMEA-nın Xəbərləri, 2005, № 2, c. 139-144 11.Наджафов Б.А. Солнечные преобразователи на основе а-Si0,80Ge0,20:Hх. // Прикладная физика, 2005, с.97-102. Najafov B.A. Solar cells based on a-Si0,80Ge0,20:H amorphous films. // Укр. Физ. журн., 2005, т. 50, № 5, р. 477-482. 12.Najafov B.A. and Isakov G.I. Electrical properties of amorphous Siо,60Ge0,40:Hx films. // Inorganic Materials, 2005, №7, vol. 41, p. 787-791. Наджафов Б.А., Исаков Г.И. Оптические свойства аморфных пленок твердого раствора а-Si1-xGex:H c различной концентрацией водорода. // Журнал прикладной спектроскопии, 2005, т.72, № 3, c. 371-376. 13.Najafov B.A. Photovoltaic effects in a–Si0,80Ge0,10:Hx films. // Letters in International Journal for Alternativ Energy and Ecology, 2005, № 1, p. 36-38. 14.Наджафов Б.А., Исаков Г.И. Получение пленок а-Si1-хGeх:H, изменение ее параметров от состава. // ISIAEE Solar Energy, 2006, № 4, (36), p. 51-55. 15.Фиговский О.А., Наджафов Б.А., Исаков Г.И. Рост нанокристаллических структур аморфно гидрированных пленок кремния (а-Si:H). // Вестник Дома Ученых Хайфы, Специальный выпуск, Хайфа, 2008, с.14-23. 16.Najafov B.A. and Isakov G.I. Properties of аmorphous Sii-xGex:H (x=0-1) films. // Inorganic Materials, 2009, vol. 45, № 7. p. 713-718. 17.Najafov В.А., Fiqarov V.R. Hydrogen content evaluation in hydrogenated nanocrystalline silicon and its amorphous alloys with germanium and carbon. // International Journal of Hydrogen Energy, 35, 2010, р. 4361-4367. 18.Najafov B.A. and Isakov G.I. Optical and Electrical Properties of аmorphous Si1-xCx:H films. // Inorganic Materials, 2010, №,6, vol. 46, p. 624-630. |
|
Respublika, beynəlxalq və xarici ölkələrin elmi qurumlarında üzvlüyü | Rusiya Təbiətşünaslıq Akademiyasının müxbir üzvi | |
Pedaqoji fəaliyyəti | ||
Digər fəaliyyəti | ||
Təltif və mükafatları | 1. Rusiya Təbiətşünaslıq Akademiyasının "Rusiyanın Qızıl kafedrası" Diplomu
2. Rusiya Təbiətşünaslıq Akademiyasının "Labore Et Scientia – Bilik və Əməklə" Ordeni 3. Rusiya Təbiətşünaslıq Akademiyasının "Primus Inter Pares – Bərabər olanların arasında Birinci" Ordeni 4. Rusiya Təbiətşünaslıq Akademiyasının "Elm və Təhsil əməkdar xadimi" |
|
Əsas iş yeri və ünvanı | AMEA Radiasiya Problemləri İnstitutu, AZ1143, B.Vahabzadə küç., 9, Bakı şəhəri, Azərbaycan Respublikası | |
Vəzifəsi | baş elmi işçi | |
Xidməti tel. | (+994 12) 5383224 | |
Mobil tel. | (+994 50) 3998966 | |
Ev tel. | (+994 12) 4771866 | |
Faks | ||
Elektron poçtu | bnajafov@rambler.ru |