Azerbaijan National Academy of Science

The first website of Azerbaijan (1995)

HOME PAGE  >>  PhD Institute of Physics

Bagirova Sitara Mammadhuseyn gizi
Place of birth Azerbaijan, Nakhcivan 
Date of birth 20.02.1958      
Education Nakhchivan State Pedagogical Institute
Scientific degree Doctor of Philosophy in Physical and Mathematical Sciences
Title  
Topic of  PhD thesis:

- specialty code

- specialty name

- topic name


1.01.10,

Semiconductor and Dielectrics

Current passing mechanism over Schottky barrier, p-n transitions and heterostructures on the base of CdS (p,n types) and Cu2S
Total number of printed scientific publications:

- number of scientific publications printed abroad:

- number of papers  published in journals indexed and abstracted in international databases

47

 

7

 

Number of patents and certificates of authorship
Staff training:     

- number of  PhD

 
Basic scientific achievements Shottky barrier and p-n transition is obtained by chemical method on the base of CdS thin films of p-type on Al substrate, rectification factor 2х104 is calculated and the current mechanism is suited.

The optical filter technology has been developed on CdS base single crystals doped by Cu.

Shottky diodes are obtained on the base of solid solutions Ce1-xSix (Si - 3÷30 atm%).It is established that current mechanism of solid solutions Al – Ge-Si-In, Sb is the recombination-generation mechanism. It is established that the barrier properties improve at temperature increase.   
Names of scientific works 1. Симметричная N образная вольтамперная характеристика гетероперехода Cu2S-CdS полученного химическим способом, Всесоюзная научно-техническая конференция «Приборы с отрицательным сопротивлением и интегральные преобразователи на их основе», Баку, 1991, с.38

2. Эффекты переключения и памяти в пленочных р-n переходах на CdS полученных методом химического осаж¬дения из раствора, Всесоюзная научно-техническая конференция «Приборы с отрицательным сопротивлением и интегральные преобразователи на их основе»,15-17октября Баку, 1991, с.39

3. Механизм токопрохождениях через барьерные структуры на основе твердых растворов Ge-Si, Примпринт №461, ИФАН Аз.Рес. Баку, 1992

4. Исследование спектров фотолюминесценции CdS р-типа, Б- ГУ, Баку, Физика-93 Тезисы конф., с.25

5. Электрофизического свойства пленок р- CdS полученного химосаждения QÜFK İnstitutu 60 illik yubileyinə həsr olunmuş elmi texniki konfrans, Bakı 1995. c.130

6. Донорного состояния замещающих атомов примеси в кристаллах Ge1-xSix, “Физика” 1998, №3, с.21-24

7. Проводимость пленок Cd1-xZnxS обусловленная потенциальными барьерами, Fizikanın aktual problemləri I Res.elmi konf. Bakı, 1998, 5-6fevralc.69-70

8. Тонкопленочный транзистор на основе Al-CdS, Fizikanın aktual problemləri I Res.elmi konf. Bakı, 1998, 5-6fevralc.251-252

9. Current Transport MOS structures on the base of CdS, Second, Inder naf. Sgmp. On mathematical compututical applications, Baku, September 1999, p.88

10. Бистабильное переключение в барьерных структурах Al-Al2O3-CdSAzer.MEA, xəbərləri az.riy.tex.elm.fizika astronomiya №2, 2000, t.XX, s.59-62

11. Равновесные концентрации расплава германий, кремний непрерывно подпитывающего кремнием при выращивании однородных кристаллов, Физика, 2001, №1, с.12-15

12. Зарядовые состояния и ионизационные потенциала глубоких примесей в системе Ge-Si, First Inter national Conference on Technical and Physical Probleme in Power Enginerity TRE-2002, Ch.Cuvarly 23-25 apr. 2002. Baku

13. Впроведение однородных монокристаллов Ge-Si из расплава подпитываемого германиевыми и кремневым стержнями, AME. Xəbərləri, Fizika-riyaziyyat texniki elmləri seriyası, fizika astranomiya 2003,№ 2, s.35-38

14. Моделирование композиционного профиля кристаллов JnSb-JnAs, выражаемых методом двойной подпитки расплава, AME. Xəbərləri, Fizika-riyaziyyat texniki elmləri seriyası, fizika astranomiya 2004,№ 5, s.90-93

15. О выращивании однородных- монокристаллов Ge-Si модернизированным методом Бриджмена, Сборник статей конф. посв. 85-летию академика Г.Б. Абдуллаева, 2003, с.138

16. Условия выращивания полностью однородных монокристаллов Ga1-xİnxSb методом двойной подпитки расплава, Матер. Конф. Физика-2005, Баку, с.240-242

17. Легирование пленок Cu2-xS магниточувствительных компонентов (Sm) в процессе электросинтеза, Физика-2005, Баку, с.59-61

18. Distribution of boronimpurity in Ge-Si bulk single crystals Grown from the melt, TPE-06 3rd Intern. Conference on Techn. and Phys. Probl. In Power Engineering, may 29-31, 2006, Ankara, Turkey, s.597-599

19. Switching diode on the base of CdS films, TPE-06 3rd Intern. Conference on Techn. and Phys. Probl. In Power Engineering, may 29-31, 2006, Ankara, Turkey,

20. Влияние Zn на свойства гетеропереходов Al-CdS-Cu2-xS-In, полученных химическим способом, “Fizika”c.XIII, №4, 2007, с.159-162

21. Магниточувствительные диоды на основе электросинтезированных пленок CuSmS2, “Fizika”c.XIV, №3, 2008, с.38-41

22. О выращивании однородных- монокристаллов Ge-Si модернизированным методом Бриджмена, “Fizika”c. XIV, №3, 2008, с.28-31

23. Моделирование рапспределение компонентов в твердых растворах İnSb-GaSb, выращенных методом зонной плавки, Xəbərlər, cild XXIX, №5, 2008

24. The influence of molten zone length on component axial distribution in InAsGaAs ingots at floating-zone refining, Physica-2012, N2, vol.18, p36

25. Axial Distribution of Shallow Acceptor Impurities in Compositionally Graded Ge-Si Alloys Grown from the Melt, 8th Intern. Conference on Techn. and Phys. Probl. Of Power Engineering,(ICTPE-2012)September 5-7, Fredrikstad, Norway p 335-339

Membership with international and foreign scientific organizations  
Pedagogical activity  
Other activities Majlis Member of CATU and Presidium Member of Free Trade Union of Azerbaijan National Academy of  Sciences

Chairman of Trade-Union Committee of Institute of Physics of  Azerbaijan National Academy of  Sciences 

Awards and prizes 1. Progress medal

2. CATU Anniversary medal

Main place of work and its address Institute of Physics of ANAS, G.Javid ave. 131, AZ1143,  Baku
Position Leading scientific associate, Chairman of Trade-Union Committee of Institute of Physics of  Azerbaijan National Academy of Sciences 
Office phone (+994 12) 5395763 
Mobile (+994 50) 6686337 
Home phone (+994 12) 5308298 
Fax (+994 12) 5372292 
E-mail bagirovasitare@rambler.ru