Veb-sayt |
https://scholar.google.com/citations?user=_c54pF0AAAAJ&hl=ru |
|
Anadan olduğu yer | Azərbaycan Respublikası, Bakı şəhəri | |
Təvəllüdü | 01.11.1955 | |
Bitirdiyi ali təhsil müəssisəsi | Moskva Dövlət Universiteti | |
Elmi dərəcəsi | Fizika üzrə elmlər doktoru | |
Elmi rütbəsi | Dosent | |
Namizədlik (PhD) dissertasiyasının mövzusu:
- ixtisas şifri - ixtisasın adı - mövzunun adı |
01.04.10 Yarımkeçiricilər və dielektriklər fizikası Laylı kristalların istilikdən genişlənməsinin xüsusiyyətləri |
|
Doktorluq dissertasiyasının mövzusu:
- ixtisas şifri - ixtisasın adı - mövzunun adı |
01.04.10 Yarımkeçiricilər və dielektriklər fizikası Güclüanizotrop kristallarda fonon proseslərinin və yükdaşıyıcıların lokallaşma effektlərinin xüsusiyyətləri |
|
Çapdan çıxmış elmi əsərlərinin ümumi sayı
- xaricdə çıxmış elmi əsərlərinin sayı - beynəlxalq bazalarda referatlaşdırılan və indeksləşdirilən jurnallarda çap olunan məqalələrin sayı |
121
77
41 |
|
Müəlliflik şəhadətnamələrinin və patentlərin sayı | ||
Kadr hazırlığı:
- fəlsəfə doktorlarının sayı - elmlər doktorlarının sayı |
2 |
|
Əsas elmi nailiyyətləri |
Klassik laylı kristalda – qrafitdə lay müstəvisində mənfi istilikdən genişlənmənin və istilikkeçirilməsində "istilik anomaliyasının" "membran" effekti əsasında izahı verilmişdir. GaS, GaSe, InSe, TlGaSe2 və b. laylı kristalarda lay müstəvisində mənfi istilikdən genişlənməsi aşkar olunub və izahı verilib. TlGaSe2 və TlInS2 kristalların istilikdən genişlənməsinə xarici şüalanmanın və tətbiq olunan elektrik sahənin təsirindən istilik xassələrində elektron altsisteminin mühüm rolu müəyyən edilmişdir. Bir sıra laylı kristallarda (yarımkeçiricilərdə, yarımmetallarda və metallarda) geniş temperatur intervalda 0,3-300К və güclü magnit sahələrdə 8Tl-qədər laylar boyunca və perpendikulyar istiqamətdə yükdaşıyıcıların köçürülmə xüsusiyyətləri tədqiq olunub. Alınan nəticələr lokallaşma hallar üzrə sıcrayış keçiricilik, zəif lokallaşma və zəif antilokallaşma effektləri nəzəri almaqla izah olunub. Bir sıra nazik təbəqəli strukturlar (Bi2Te2,7Se0,3, InAs0,56Sb0,44 və s.) alınıb və onlarda bəzi fiziki prosseslər (rentgen difraksiyası, raman səpilməsi, elektron microscopiyası, spektal ellipsometriya, elektrik və qalvanomaqnit effektlər və s. ) öyrənilib. |
|
Elmi əsərlərinin adları |
1. G.L.Belenki, E.Yu.Salaev, R.A.Suleimanov and N.A.Abdullaev. The nature of temperature dependence of energy gaps in layer semiconductors. Solid State Commun., 47, 263 (1983). 2. Г.Л. Беленький, Р.А. Сулейманов, Н.А. Абдуллаев, В.Я. Штейншрайбер. Тепловое расширение слоистых кристаллов. Модель Лифшица. Физика твёрдого тела, 26, 3560 (1984). 3. Г.Л. Беленький, Н.А. Абдуллаев, В.Н. Зверев, В.Я. Штейншрайбер. Природа анизотропии проводимости и особенности локализации электронов в слоистом селениде индия. Письма в ЖЭТФ, 47, 498 (1988). 4. Н.А. Абдуллаев. Параметры Грюнайзена в слоистых кристаллах. Физика твёрдого тела, 43, 697 (2001). 5. Н.А. Абдуллаев. Особенности упругих свойств слоистых кристаллов. Физика твёрдого тела, 48, 623 (2006). |
|
Respublika, beynəlxalq və xarici ölkələrin elmi qurumlarında üzvlüyü | ||
Pedaqoji fəaliyyəti |
1992-1995-ci illər |
|
Digər fəaliyyəti | ||
Təltif və mükafatları | ||
Əsas iş yeri və ünvanı | AMEA Fizika İnstitutu, Bakı, AZ1134, H. Cavid pr., 131 | |
Vəzifəsi | Laboratoriya rəhbəri | |
Xidməti tel. | (+994 12) 5395163 | |
Mobil tel. | (+994 55) 7998810 | |
Ev tel. | (+994 12) 5614229 | |
Faks | ||
Elektron poçtu | abnadir@physics.ab.az |