Национальная Академия Наук Азербайджана

- шифр специальности

- наименование специальности

1.01.10

Физика полупроводников и диэлектриков

- количество научных работ, опубликованных за рубежом

7 

- Кол-во кандидатов наук

На основе CdS монокристаллов легированных Cu разработана технология оптических фильтров.На основе твёрдых растворов Ce1-xSix (Si - 3÷30atm%) созданы диоды Шотки.

Установлено, что механизм токопрохождения твердых растворов Al – Ge-Si-In, Sb является рекомбинационно-генерационным механизмом. Установлено, что при увеличении температуры улучшаются барьерные свойства.  

2. Эффекты переключения и памяти в пленочных р-n переходах на CdS полученных методом химического осаждения из раствора, Всесоюзная научно-техническая конференция «Приборы с отрицательным сопротивлением и интегральные преобразователи на их основе»,15-17октября Баку, 1991, с.39

3. Механизм токопрохождениях через барьерные структуры на основе твердых растворов Ge-Si, Примпринт №461, ИФАН Аз.Рес. Баку, 1992

4. Исследование спектров фотолюминесценции CdS р-типа, Б- ГУ, Баку, Физика-93 Тезисы конф., с.25

5. Электрофизического свойства пленок р- CdS полученного химосаждения QÜFK İnstitutu 60 illik yubileyinə həsr olunmuş elmi texniki konfrans, Bakı 1995. c.130

6. Донорного состояния замещающих атомов примеси в кристаллах Ge1-xSix, “Физика” 1998, №3, с.21-24

7. Проводимость пленок Cd1-xZnxS обусловленная потенциальными барьерами, Fizikanın aktual problemləri I Res.elmi konf. Bakı, 1998, 5-6fevralc.69-70

8. Тонкопленочный транзистор на основе Al-CdS, Fizikanın aktual problemləri I Res.elmi konf. Bakı, 1998, 5-6fevralc.251-252

9. Current Transport MOS structures on the base of CdS, Second, Inder naf. Sgmp. On mathematical compututical applications, Baku, September 1999, p.88

10. Бистабильное переключение в барьерных структурах Al-Al2O3-CdSAzer.MEA, xəbərləri az.riy.tex.elm.fizika astronomiya №2, 2000, t.XX, s.59-62

11. Равновесные концентрации расплава германий, кремний непрерывно подпитывающего кремнием при выращивании однородных кристаллов, Физика, 2001, №1, с.12-15

12. Зарядовые состояния и ионизационные потенциала глубоких примесей в системе Ge-Si, First Inter national Conference on Technical and Physical Probleme in Power Enginerity TRE-2002, Ch.Cuvarly 23-25 apr. 2002. Baku

13. Впроведение однородных мо¬нокристаллов Ge-Si из расплава подпитываемого германиевыми и кремневым стержнями, AME. Xəbərləri, Fizika-riyaziyyat texniki elmləri seriyası, fizika astranomiya 2003,№ 2, s.35-38

14. Моделирование композиционного профиля кристаллов JnSb-JnAs, выражаемых методом двойной подпитки расплава, AME. Xəbərləri, Fizika-riyaziyyat texniki elmləri seriyası, fizika astranomiya 2004,№ 5, s.90-93

15. О выращивании однородных- монокристаллов Ge-Si модернизированным методом Бриджмена, Сборник статей конф. посв. 85-летию академика Г.Б. Абдуллаева, 2003, с.138

16. Условия выращивания полностью однородных монокристаллов Ga1-xİnxSb методом двойной подпитки расплава, Матер. Конф. Физика-2005, Баку, с.240-242

17. Легирование пленок Cu2-xS магниточувствительных компонентов (Sm) в процессе электросинтеза, Физика-2005, Баку, с.59-61

18. Distribution of boronimpurity in Ge-Si bulk single crystals Grown from the melt, TPE-06 3rd Intern. Conference on Techn. and Phys. Probl. In Power Engineering, may 29-31, 2006, Ankara, Turkey, s.597-599

19. Switching diode on the base of CdS films, TPE-06 3rd Intern. Conference on Techn. and Phys. Probl. In Power Engineering, may 29-31, 2006, Ankara, Turkey,

20. Влияние Zn на свойства гетеропереходов Al-CdS-Cu2-xS-In, полученных химическим способом, “Fizika”c.XIII, №4, 2007, с.159-162

21. Магниточувствительные диоды на основе электросинтезированных пленок CuSmS2, “Fizika”c.XIV, №3, 2008, с.38-41

22. О выращивании однородных- монокристаллов Ge-Si модернизированным методом Бриджмена, “Fizika”c. XIV, №3, 2008, с.28-31

23. Моделирование рапспределение компонентов в твердых растворах İnSb-GaSb, выращенных методом зонной плавки, Xəbərlər, cild XXIX, №5, 2008

24. The influence of molten zone length on component axial distribution in InAsGaAs ingots at floating-zone refining, Physica-2012, N2, vol.18, p36

25. Axial Distribution of Shallow Acceptor Impurities in Compositionally Graded Ge-Si Alloys Grown from the Melt, 8th Intern. Conference on Techn. and Phys. Probl. Of Power Engineering,(ICTPE-2012)September 5-7, Fredrikstad, Norway p 335-339

2. Юбилейный медаль Конфедерация Профсоюзов Азербайджана