Национальная Академия Наук Азербайджана

Первый cайт Азербайджана (1995)

ГЛАВНАЯ  >>  Доктора философии Института физики

Эминов Шихамир Осмат оглы
Место рождения Закаталы, Азербайджан 
Дата рождения 30.10.1955 
Образование Азербайджанский Государственный Университет
Ученая степень Доктор философии по физико-математическим  наукам
Ученое звание Доцент 
Название кандидатской (PhD) диссертации:

- шифр специальности

- наименование специальности

- название темы


01.04.10

Физика полупроводников и диэлектриков

Электрические, фотоэлектрические и оптические свойства эпитаксиальных р+-р структур на основе InSb, полученных методом жидкофазной эпитаксии 

Общее количество опубликованных научных работ:

- количество научных работ, опубликованных за рубежом

- количество статей, опубликованных в журналах, индексируемых и реферируемых в международных базах
90

 

50

 

12

Количество авторских свидетельств и патентов 8
Подготовка кадров:

- Кол-во кандидатов наук

 
Основные научные достижения

Разработана технология  выращивания   фоточувствительных структур  на основе   HgCdTe  и InSb методом жидкофазной эпитаксии  для инфракрасой техники и приборам ночного видения

Разработана технология синтеза нанопористых структур на основе анодного оксида алюминия, а также  тонких пленок  сульфида кадмия  методом электрохимической кристаллизации  для  применения в солнечных преобразователях.
Названия научных работ

1. Sh. O. Eminov and A. A. Radjabli A device for liquid- phase epitaxy, Instruments and Experimental Techniques, volume 53, number 2, 298-300, doi: 10.1134/s0020.

2. Sh. O. Eminov, A. A. Rajabli, and T. I. Ibragimov. Effect of the Cd0.96Zn0.04Te substrate polishing procedure on CdHgTe liquid phase epitaxy, Inorganic Materials, 2010, v.46, 7, 714-717.

3. Sareminia, Gh.; Hajian, M.; Simchi, H.; Eminov Sh. Characterisation of photodiodes, made from a p-type epitaxial layer grown on n-type InSb <1 1 1> by LPE method, Infrared Physics & Technology, 2010, 53, 5, p. 315-319.

4. Sh. O. Eminov, Kh. D. Jalilova and E. A. Mamedova, Wet chemical etching of the (111)In and (111)Sb planes of InSb substrates, Inorganic Materials, 47,Number 4 (2011), 340-344, DOI: 10.1134/S0020168511040091.

4. Huseynov E. Eminov Shkhamir et al Evaluation of composition reproducibility of HgCdTe epitaxial layers grown in novel liquid phase epitaxy apparatus, Jap. Journ. of Appl.Physics 50 (2011) 05FB16-1-2.

5. Sh.O.Eminov, D.B.Tagiyev et al. Photo and electrical peculiarities of the nanostructured glass/ITO/AAO and glass/ITO/CdS systems. J. Mater Sci: Mater Electron, 2016 DOI 10.1007/s10854-016-5053-9. Impact factor 1.569.

6. Sh.O.Eminov Study of the impurity photo conductivity in p-InSb using epitaxial p+ contacts, Semiconductors, 2016 V.50. no.8 pp 1003-1009 DOI: 10.1134/S1063782616080108. Impact factor 0.7 (Физика и Техника полупроводников, 2016, т.50, №8, стр. 1025-1029.)

Членство в республиканских, международных и зарубежных научных организациях  
Педагогическая деятельность  
Прочая деятельность Доцент в Азербайджанском Техническом ниверситете, 1992- по настоящее время 
Премии и награды  
Основное место работы и адрес Институт Физики НАНА, AZ1143, г.Баку, пр., Г.Джавида, 131
Должность Ведущий научный сотрудник 
Служ. тел. (+994 12) 4324336 
Моб. тел. (+994 50) 3403453 
Дом. тел (+994 12) 4319530
Факс (+994 12) 4319530
Э-почта shikhamir@mail.ru