Место рождения | Закаталы, Азербайджан | |
Дата рождения | 30.10.1955 | |
Образование | Азербайджанский Государственный Университет | |
Ученая степень | Доктор философии по физико-математическим наукам | |
Ученое звание | Доцент | |
Название кандидатской (PhD) диссертации:
- шифр специальности - наименование специальности - название темы |
01.04.10 Физика полупроводников и диэлектриковЭлектрические, фотоэлектрические и оптические свойства эпитаксиальных р+-р структур на основе InSb, полученных методом жидкофазной эпитаксии |
|
Общее количество опубликованных научных работ:
- количество научных работ, опубликованных за рубежом - количество статей, опубликованных в журналах, индексируемых и реферируемых в международных базах |
90
50
12 |
|
Количество авторских свидетельств и патентов | 8 | |
Подготовка кадров:
- Кол-во кандидатов наук |
||
Основные научные достижения |
Разработана технология выращивания фоточувствительных структур на основе HgCdTe и InSb методом жидкофазной эпитаксии для инфракрасой техники и приборам ночного видения Разработана технология синтеза нанопористых структур на основе анодного оксида алюминия, а также тонких пленок сульфида кадмия методом электрохимической кристаллизации для применения в солнечных преобразователях. |
|
Названия научных работ |
1. Sh. O. Eminov and A. A. Radjabli A device for liquid- phase epitaxy, Instruments and Experimental Techniques, volume 53, number 2, 298-300, doi: 10.1134/s0020. 2. Sh. O. Eminov, A. A. Rajabli, and T. I. Ibragimov. Effect of the Cd0.96Zn0.04Te substrate polishing procedure on CdHgTe liquid phase epitaxy, Inorganic Materials, 2010, v.46, 7, 714-717. 3. Sareminia, Gh.; Hajian, M.; Simchi, H.; Eminov Sh. Characterisation of photodiodes, made from a p-type epitaxial layer grown on n-type InSb <1 1 1> by LPE method, Infrared Physics & Technology, 2010, 53, 5, p. 315-319. 4. Sh. O. Eminov, Kh. D. Jalilova and E. A. Mamedova, Wet chemical etching of the (111)In and (111)Sb planes of InSb substrates, Inorganic Materials, 47,Number 4 (2011), 340-344, DOI: 10.1134/S0020168511040091. 4. Huseynov E. Eminov Shkhamir et al Evaluation of composition reproducibility of HgCdTe epitaxial layers grown in novel liquid phase epitaxy apparatus, Jap. Journ. of Appl.Physics 50 (2011) 05FB16-1-2. 5. Sh.O.Eminov, D.B.Tagiyev et al. Photo and electrical peculiarities of the nanostructured glass/ITO/AAO and glass/ITO/CdS systems. J. Mater Sci: Mater Electron, 2016 DOI 10.1007/s10854-016-5053-9. Impact factor 1.569. 6. Sh.O.Eminov Study of the impurity photo conductivity in p-InSb using epitaxial p+ contacts, Semiconductors, 2016 V.50. no.8 pp 1003-1009 DOI: 10.1134/S1063782616080108. Impact factor 0.7 (Физика и Техника полупроводников, 2016, т.50, №8, стр. 1025-1029.) |
|
Членство в республиканских, международных и зарубежных научных организациях | ||
Педагогическая деятельность | ||
Прочая деятельность | Доцент в Азербайджанском Техническом ниверситете, 1992- по настоящее время | |
Премии и награды | ||
Основное место работы и адрес | Институт Физики НАНА, AZ1143, г.Баку, пр., Г.Джавида, 131 | |
Должность | Ведущий научный сотрудник | |
Служ. тел. | (+994 12) 4324336 | |
Моб. тел. | (+994 50) 3403453 | |
Дом. тел | (+994 12) 4319530 | |
Факс | (+994 12) 4319530 | |
Э-почта | shikhamir@mail.ru |