Место рождения | Арм. Республика | |
Дата рождения | 09.06.1976 | |
Образование | БГУ | |
Ученая степень | Доктор философии по физике | |
Ученое звание | ||
Название кандидатской (PhD) диссертации:
- шифр специальности - наименование специальности - название темы |
01.04.10 Физика полупроводников и диэлектриков Электрические и оптичуские свойства монокристаллов TlGa1-ХМХS2(Se2), (М=Fe, Co). |
|
Общее количество опубликованных научных работ:
- количество научных работ, опубликованных за рубежом - количество статей, опубликованных в журналах, индексируемых и реферируемых в международных базах |
38
20 7 |
|
Количество авторских свидетельств и патентов | ||
Подготовка кадров:
- Кол-во кандидатов наук |
||
Основные научные достижения |
Впервые получен на основе дифференциально-термического (ДТА), рентгенофазового (РФА) и микроструктурного (МСА) анализов доказано существование нового соединения TlCоS2 с температурой плавления Тпл=670К. Установлено, что TlCоS2 кристаллизуется в гексагональной сингонии с параметрами решетки: а=3,726Å; с=22,510Å; z=3; =6,026 г/см3. Построена диаграмма состояния системы TlGaS2 -TlCоS2 и установлено, что на основе TlGaS2 образуются твердые растворы до 6 мол.% TlCоS2 при T=300К. - По результатам ДТА, РФА и МСА анализов построена диаграмма состояния системы TlGaSe2-TlFeSe2. На основе TlGaSe2 образуются твердые растворы до 8% TlFeSe2 при 300К. Методом Бриджмена-Стокбаргера выращены монокристаллы TlGa1-хFeхSe2, где х=0,001; 0,005 и 0,01. - Построена диаграмма состояния системы TlGaSe2-TlCoSe2. На основе TlGaSe2 существует область твердых растворов до 7мол% TlCoSe2. - В постоянном электрическом поле при температурах Т<250К в монокристаллах TlGa0,99Fe0,01Se2 поперек слоев имеет место прыжковая проводимость с переменной длиной прыжка по локализованным вблизи уровня Ферми состояниям. В области температур 81÷150К наблюдается безактивационная прыжковая проводимость. |
|
Названия научных работ | 1. Гасанов А.И. Фазовые переходы в монокристаллах TlGa1-xCоxS2/ Сборник трудов всероссийской школы-семинара молодых ученых «Физика фазовых переходов» Махачкала, Россия. 2003. с. 8.
2. Мустафаева С.Н., Гасанов А.И. Релаксационные явления в монокристаллах TlGa0,99Fe0.01Se2// Физика твердого тела, 2004, т. 46, в. 11, с.1937-1941. 3. Kerimova E.M., Mustafaeva S.N., Jabbarly A.I., Sultanov G., Hasanov A.I., Kerimov R.N. New magnetic semicondutors on the base of TlBVI-MeBVI systems (Me-Fe, Co, Ni, Mn; B-S, Se, Te) // Physics of Spin in Solids: Materials, Methods and Applications. NATO Science Series: II Mathematics, Physics and Chemistry. 2004, v.156, p.195-206. 4. Mustafaeva S.N., Hasanov A.I. High-frequency dielectric measurements on TlGa1-xFexSe2 single crystals // Energetikanin problemləri, 2005, № 1, s.101-105. 5. Гасанов Н.З., Керимова Э.М., Гасанов А.И, Асадов Ю.Г. Оптические свойства и параметры кристаллической решетки твердых растворов TlGa1-xFexSе2// Физика Низких Температур. 2007, т.33, №1, с. 115-118. 6. Mustafaeva S.N., Hasanov N.Z., Hasanov A.I. Frequency-dependent dielectric properties of TlGa1-xCoxSe2 single crystals.// Fizika, 2007, Cild XIII, №4, s. 95-98. 7. Керимова Э.М., Гасанов А.И. Фотоэлектрические и оптические свойства монокристаллов твердых растворов. (TlGaS2)1-x(TlInSe2)x. Известия НАН Азербайджана, серия физ.-мат. и тех. наук, 2009, №5, Т.XXIX C.123-128. 8. Kərimova E.M. Həsənov N.Z. Hüseynova K.M. İsayeva A.Ə., TlInS2 və TlGaSe2 birləşmələrində In və Ga atomlarının Dy atomlarla qismən əvəz edilməsinin onların fiziki xassələrinə təsiri. Fizika, 2012, cild XVIII, №2, section: Az. S.36-38 |
|
Членство в республиканских, международных и зарубежных научных организациях | ||
Педагогическая деятельность | ||
Прочая деятельность | ||
Премии и награды | ||
Основное место работы и адрес | Институт Физики НАНА, AZ1143, г.Баку, пр., Г.Джавида, 131 | |
Должность | Научный сотрудник | |
Служ. тел. | (+994 12) 5395913 | |
Моб. тел. | (+994 55) 2030014 | |
Дом. тел | (+994 12) 5693055 | |
Факс | (+994 12) 5395961 | |
Э-почта | anarturan@gmail.com |