Национальная Академия Наук Азербайджана

Первый cайт Азербайджана (1995)

ГЛАВНАЯ  >>  Доктора философии Института радиационных проблем

Салманов Фамин Таир оглы
Место рождения Астара, с. Шиякерань
Дата рождения 12.02.1979
Образование Бакинский Государственный Университет
Ученая степень Доктор философии по физике
Ученое звание Доцент
Название кандидатской (PhD) диссертации:

-         шифр специальности

-         наименование специальности

-         название темы

 

 

2225.01

Радиационное материаловедение

Влияние g-лучей на электрические и диэлектрические свойства соединений TlİnS2(V)

Общее количество опубликованных научных работ:

-         количество научных работ, опубликованных за рубежом

-        количество статей, опубликованных в журналах, индексируемых и реферируемых в международных базах
126 

 

 

46

 

 

16

Количество авторских свидетельств и патентов  
Подготовка кадров:

- Кол-во кандидатов наук

 
Основные научные достижения На основании изучения нестабильности температур решеток соединений типа A3B6 и A3B3C62, установлено присутствие фазовых переходов и всесторонне исследованно.

Впервые было установлено, что фазовые переходы наблюдаются с температурными полями структуры “incommensurate”. Это дает возможность получать полную информацию о изучаемых свойствах динамики решетки.

В результате исследований, установлено, что при определенных условиях, кристаллы слоистой и цепной структуры, ведут себя как низкоразмерной системы.

Таким образом, в этих соединениях наблюдаются данные свойства: температурная зависимость типа релаксор; отрицательные значения диэлектрического коэффициэнта; энергетический спектор свойственный для квантовых точек; мезоскопические крайние структуры.

Названия научных работ 1. Relaxor properties and conductivity mechanism of γ-radiated TlInS2 crystals. FTT, Solid State Physics (Physica Tverdovo Tela), 2005, v.47, N.9, p.1665-1669.

2. “Specific Features of Conductivity of γ–Irradiated TlGaTe2 Crystals with Nanochain Structure” Semiconductors 44, 485 (2010).

3. Гигантская диэлектрическая релаксация в кристаллах TlGaTe2. Физика твердого тела. 2011, том. 53, вып. 8, с. 1488-1492.

4. Superionic Conductivity in One-Dimensional Nanofibrous TlGaTe2 Crystals. Japanese Journal of Applied Physics. 50 (2011), 05FC09-1 – 2.

5. Суперионная проводимость, эффекты переключения и памяти в кристаллах TlInSe2 и lInTe2.Физика и техника полупроводников. 2011, том 45, вып. 11, с. 1441-1445.

6. Суперионная проводимость в кристаллах TlGaTe2. Физика и техника полупроводников. 2011, том 45, вып. 8, с. 1009-1013.

7. “Ionic conductivity and dielectric relaxation in γ - irradiated TlGaTe2 crystals”. FTP, (Physica i Technica Poluprovodnicov), Semiconductors 47, No.5, 696-701 (2013).

8..Conductivity over localized states of the system of (TlInSe2)1–x(TlGaTe2)x solid solutions, Semiconductors 49 (12), 1655-1660

9. On the polarization caused by bulk charges and the ionic conductivity in TlInSe2 crystals, March 2014, Semiconductors 48(4)

10. Phase Transition in TlS, TlSe and TlInS2 Crystals Caused by Nanoscale Defects, August 2017 DOI10.11159/tann17.116 Conference: International Conference of Theoretical and Applied Nanoscience and Nanotechnology

11. Phase Transition in TlS, TlSe and TlInS2 Crystals Caused by Nanoscale Defects, January 2018, DOI10.11159/ijtan.2018.002

Членство в республиканских, международных и зарубежных научных организациях «Eurodoc» (Совет Молодых Ученых Европы)
Педагогическая деятельность  
Прочая деятельность Председатель Совета молодых ученых и специалистов НАНА.
Премии и награды Лауреат «Молодежная награда» (2012).
Основное место работы и адрес Институт Радиационных проблем НАНА, AZ1143, Азербайджанская Республика, г. Баку, Б.Вахабзаде 9
Должность ведуший научный сотрудник
Служ. тел. (+994 12) 5383224
Моб. тел. (+994 50) 4528196
Дом. тел  
Факс  
Э-почта famin-salmanov@rambler.ru,

gencalim@science.az