Национальная Академия Наук Азербайджана
Первый cайт Азербайджана (1995)
Elm TV
Фото
Видео
Джафарова Эльмира Асад кызы
| Место рождения | г. Нахичевань |  |
| Дата рождения | 06.07.1937 | |
| Образование | Московский Государственный Университет | |
| Ученая степень | Доктор физико-математических наук | |
| Ученое звание | Доцент | |
| Название кандидатской (PhD) диссертации:
- шифр специальности, - наименование специальности - название темы |
01.04.10 Физика полупроводников и диэлектриков Исследование реактивных свойств диффузионных диодов на основе п- и р- Si |
|
| Название докторской диссертации:
- шифр специальности, - наименование специальности - название темы |
01.04.04. Физическая электроника Глубокие примеси в Ge, Si и нестационарные электронные процессы в барьерных структурах на их основе |
|
| Общее количество опубликованных научных работ:
- количество научных работ, опубликованных за рубежом - количество статей, опубликованных в журналах, индексируемых и реферируемых в международных базах |
140
50
30 |
|
| Количество авторских свидетельств и патентов | 5 | |
| Подготовка кадров:
- Кол-во кандидатов наук - Кол-во докторов наук |
3 |
|
| Основные научные достижения | 1. Впервые показана возможность получения p-n переходов в структуре Al-SiO2-n-Si-M без длительной высокотемпературной диффузии приложением электрического поля путем переноса Al через канал в окисле в Si.
2. Разработан способ изготовления переключателя на основе n-Si и предложена ячейка памяти с электрической перезаписью , сохраняющая информацию при отключении питания. 3. Показана возможность управления фоточувствительностью In2O3-SiO2-pSi-Al структур приложенным электрическим полем. 4. Методами нестационарной емкостной спектроскопии, фотоемкости, фотопроводимость и электронного парамагнитного резонанса исследованы электрические процессы в барьерных структурах на основе Ge и Si , легированных примесями переходных металлов (Ni, W, Ti и Ta). Определены основные параметры глубоких центров, создаваемых этими примесями. 5. Исследованы емкостные свойства кремниевых микропиксельных лавинных фотодиодов при воздействии малого переменного сигнала различной частоты, показано, что уменьшение измеряемой емкости при малых значениях приложенного к структуре напряжения связано с появлением последовательного сопротивления при обеднении лавинного фотодиода. |
|
| Названия научных работ | 1. Investigation of p-n junctions n- Si obtained by electromigration of Al through a thin SiO2 film. Sol. State Commun. 1984,v. 49, №3, p.273-278, №3,c.52
2. Исследование влияния электронного облучения на структуру GaSe-SiO2 ФТП, 2002, т.36, №7, с.858-860 3. Диэлектрические свойства пленок SiOx переменного состава Fizika 2008, том.14, №3,с.52, 4. Влияние электроактивного никеля на свойства Ni.Неорганические материалы , 2010, т.46, вып.10, с. 1163-1166, 5. Влияние эмиттерного тока на свойства коллекторного перехода Si и Ge структур. Неорганические материалы, 2012, том.47,№3, с. 261-265 6. Jafarova E.A, Z.Y.Sadygov, F.I.Ahmadov, A.Z.Sadyqov, A.A.Dovlatov, L.A.Aliyeva, E.S.Tapdyqov Features of barrier capacitance mikropixel avalanche Photodiodes at different frequencies. Universal journal of Physics and Applications, 2016 , v. 10 ,№1,p 1-4 |
|
| Членство в республиканских, международных и зарубежных научных организациях | ||
| Педагогическая деятельность | 1977-1985 - Азербайджанский Технический Университет, кафедра электроники-лектор | |
| Прочая деятельность | член Ученого Совета Института Физики | |
| Премии и награды | Гранты:
1. Совместный проект НАН Азербайджана и Республики Беларусь «Получение тонкопленочных солнечных элементов на основе CuIn(Ga)Se2»2009-2011-е годы 2.Регулярный проект Украинского Научно- Технологического Центра” Получение и исследование тонкопленочных солнечных элементов на основе халкопиридных полупроводников Cu(InGa)(SSe)2” 2012-2014-гг. |
|
| Основное место работы и адрес | Институт Физики НАНА, Баку, пр. Г. Джавида, 131 | |
| Должность | Рук. лаб. | |
| Служ. тел. | (+994 12) 5394057 | |
| Моб. тел. | (+994 51) 8875223 | |
| Дом. тел | (+994 12) 4408322 | |
| Факс | ||
| Э-почта | ||