Место рождения | Россия, Ленинград | |
Дата рождения | 04.08.1949 | |
Образование | Азербайджанский институт нефти и химии | |
Ученая степень | Доктор наук по физике | |
Ученое звание | Профессор | |
Название кандидатской (PhD) диссертации:
- шифр специальности, - наименование специальности - название темы |
01.04.05. Оптика Исследование механизмов безызлучательных потерь с метастабильного уровня Nd3+4F3/2 в лазерных материалах |
|
Название докторской диссертации:
- шифр специальности, - наименование специальности - название темы |
01.04.10 Физика полупроводников и диэлектриков Спектроскопия сильно анизотропных полупроводников A3B6, A3B3C26 под давлением и фазовые превращения в них. |
|
Общее количество опубликованных научных работ:
- количество научных работ, опубликованных за рубежом - количество статей, опубликованных в журналах, индексируемых и реферируемых в международных базах |
223
138
82 |
|
Количество авторских свидетельств и патентов | 6 | |
Подготовка кадров:
- Кол-во кандидатов наук - Кол-во докторов наук |
5 |
|
Основные научные достижения | Впервые экспериментально выделены все стадии процесса распада возбужденного состояния иона неодима в лазерных матрицах и определены параметры, отражающие элементарные процессы.Впервые методами диэлектрической и оптической спектроскопии обнаружены фазовые переходы под давлением в сильноанизотропных полупроводниках со структурой типа TlGaSe2
Изучено поведение и в рамках единой модели деформационного потенциала описаны изменения ширин запрещенных зон этого класса кристаллов под действием гидростатического и одноосного давлений, в результате теплового расширения и изменения состава. Выявлена природа нетрадиционного проявления эффектов термической памяти несоизмеримой фазы в кристаллах со структурой типа TlGaSe2. Показана возможность управления многими физическими свойствами этих кристаллов внутри области существования несоизмеримой фазы. |
|
Названия научных работ | 1. Исследование природы безызлучательной релаксации энергии возбуждения в конденсированных средах с высоким содержанием активатора. ЖЭТФ, 1976, т.71, с. 470-488.
2. Deformation Effect in Electronic Spectra of the Layered Semiconductors TlGaS2, TlGaSe2,TlInS2. Journal of Physics: Condensed Matter., 2003,v.15, p.1291-1298. 3. Нетрадиционные эффекты термической памяти несоизмеримой фазы в сегнетоэлектриках полупроводниках TlInS2. ФТТ, 2009, т.51, с. 533-542. 4. The Role of Electronic Subsystem in the Negative Termal Expansion of Ferroelectric-Semiconductor TlGaSe2. Japanese Journal of Applied Physics (2011) 50 05FD06 |
|
Членство в республиканских, международных и зарубежных научных организациях | ||
Педагогическая деятельность | ||
Прочая деятельность | Член международной редколлегии журнала Azerbaijan Journal of Physics “ Fizika” | |
Премии и награды | Премия Ленинского Комсомола СССР в области науки и техники, 1976г. | |
Основное место работы и адрес | Институт физики Национальная Академия Наук Азербайджана, Азербайджан, Баку, пр. Г. Джавида 131, AZ1143 | |
Должность | Заведующий лабораторией | |
Служ. тел. | (+994 12) 5397479 | |
Моб. тел. | (+994 50) 5002200 | |
Дом. тел | (+994 12) 4932190 | |
Факс | (+994 12) 4470456 | |
Э-почта | mamedov_tofik@mail.ru |