Место рождения | Арм.ССР, Сисианский р-н, с. Агуди | |
Дата рождения | 06.06.1960 | |
Образование | Азербайджанский (Бакинский) Государственный Университет | |
Ученая степень | Доктор физ.-мат. наук | |
Ученое звание | доцент | |
Название кандидатской (PhD) диссертации:
- шифр специальности, - наименование специальности - название темы |
01.04.10 Физика полупроводников и диэлектриков Электрофизические и оптические свойства твердого раствора германий-кремний (Ge1-xSiix:H) |
|
Название докторской диссертации:
- шифр специальности, - наименование специальности - название темы |
2211.01 Физика твердого тела Электронные и оптические процессы в гидрогенизированных тонких пленках на основе кремния–германия и перспективы их применения |
|
Общее количество опубликованных научных работ:
- количество научных работ, опубликованных за рубежом - количество статей, опубликованных в журналах, индексируемых и реферируемых в международных базах |
105
71
24 |
|
Количество авторских свидетельств и патентов | ||
Подготовка кадров:
- Кол-во кандидатов наук - Кол-во докторов наук |
||
Основные научные достижения | 1. Определен прыжковый механизм при низких температурах.
2. Для соединений кремния определены прыжковая энергия, прыжковое расстояние, волновая функция для локальных состояний и плотность состояний. 3. Дана формула для определения концентрации атомов водорода в кремниевых структурах. 4. Дана структура для изготовления многослойных солнечных элементов. |
|
Названия научных работ | 1. Najafov B.A, Bakirov M.Y, Mamedov V.S. and Andreev A.A. Optical properties of amorphous hydrogenated amorphous a-Si0,90Ge0,10:Hx. // Phys. Stat. Solids, 1991, K 119-127.
2. Наджафов Б.А. Электрические свойства аморфных пленок твердого раствора Ge0,90Siо,10:Hх. // Физ. и Техн. Полупроводников, т. 34, в.11, 2000, c. 1383-1385. 3. Najafov B.A. Absorption, photoconductivity and current-voltage characteristics of amorphous Ge0,90Siо,10:H solid solutions. // Укр. Физ. журн., 2000, т. 45, №10, c. 1221-1224. 4. Наджафов Б.А., Исаков Г.И., Фигаров В.Р. Оптические свойства гидрогенизированных аморфных пленок твердого раствора a-Ge0,85Siо,15:H. // Прикладная физика, 2004, №4, с. 107-114. 5. Наджафов Б.А. ЭПР и ИК спектры поглошения аморфных пленок a-Sii-хGex:H. // AMEA-nın Xəbərləri, 2005, № 2, c. 139-144 6. Наджафов Б.А. Солнечные преобразователи на основе а-Si0,80Ge0,20:Hх. // Прикладная физика, 2005, с.97-102. 7. Najafov B.A. Solar cells based on a-Si0,80Ge0,20:H amorphous films. // Укр. Физ. журн., 2005, т. 50, № 5, р. 477-482. 8. Najafov B.A. and Isakov G.I. Electrical properties of amorphous Siо,60Ge0,40:Hx films. // Inorganic Materials, 2005, №7, vol. 41, p. 787-791. 9. Наджафов Б.А., Исаков Г.И. Оптические свойства аморфных пленок твердого раствора а-Si1-xGex:H c различной концентрацией водорода. // Журнал прикладной спектроскопии, 2005, т.72, № 3, c. 371-376. 10. Наджафов Б.А. ЭПР и ИК спектры поглошения аморфных пленок a-Sii-хGex:H. // AMEA-nın Xəbərləri, 2005, № 2, c. 139-144 11.Наджафов Б.А. Солнечные преобразователи на основе а-Si0,80Ge0,20:Hх. // Прикладная физика, 2005, с.97-102. Najafov B.A. Solar cells based on a-Si0,80Ge0,20:H amorphous films. // Укр. Физ. журн., 2005, т. 50, № 5, р. 477-482. 12.Najafov B.A. and Isakov G.I. Electrical properties of amorphous Siо,60Ge0,40:Hx films. // Inorganic Materials, 2005, №7, vol. 41, p. 787-791. Наджафов Б.А., Исаков Г.И. Оптические свойства аморфных пленок твердого раствора а-Si1-xGex:H c различной концентрацией водорода. // Журнал прикладной спектроскопии, 2005, т.72, № 3, c. 371-376. 13.Najafov B.A. Photovoltaic effects in a–Si0,80Ge0,10:Hx films. // Letters in International Journal for Alternativ Energy and Ecology, 2005, № 1, p. 36-38. 14.Наджафов Б.А., Исаков Г.И. Получение пленок а-Si1-хGeх:H, изменение ее параметров от состава. // ISIAEE Solar Energy, 2006, № 4, (36), p. 51-55. 15.Фиговский О.А., Наджафов Б.А., Исаков Г.И. Рост нанокристаллических структур аморфно гидрированных пленок кремния (а-Si:H). // Вестник Дома Ученых Хайфы, Специальный выпуск, Хайфа, 2008, с.14-23. 16.Najafov B.A. and Isakov G.I. Properties of аmorphous Sii-xGex:H (x=0-1) films. // Inorganic Materials, 2009, vol. 45, № 7. p. 713-718. 17.Najafov В.А., Fiqarov V.R. Hydrogen content evaluation in hydrogenated nanocrystalline silicon and its amorphous alloys with germanium and carbon. // International Journal of Hydrogen Energy, 35, 2010, р. 4361-4367. 18.Najafov B.A. and Isakov G.I. Optical and Electrical Properties of аmorphous Si1-xCx:H films. // Inorganic Materials, 2010, №,6, vol. 46, p. 624-630. |
|
Членство в республиканских, международных и зарубежных научных организациях | Член-корреспондент Российской Академии Естествознания | |
Педагогическая деятельность | ||
Прочая деятельность | ||
Премии и награды | 1. Диплом «Золотая кафедра России» Российской Академии Естествознания
2. Орден «Labore Et Scientia – Трудом и Знанием» Российской Академии Естествознания 3. Орден «Primus Inter Pares – Первый Среди Равных» Российской Академии Естествознания 4. «Заслуженный деятель науки и образования» Российской Академии Естествознания |
|
Основное место работы и адрес | Институт Радиационных Проблем НАНА, AZ1143, Азербайджанская Республика, г. Баку, Б.Вахабзаде 9 | |
Должность | Ведущий научный сотрудник | |
Служ. тел. | (+994 12) 5383224 | |
Моб. тел. | (+994 50) 3998966 | |
Дом. тел | (+994 12) 4771866 | |
Факс | ||
Э-почта | bnajafov@rambler.ru |