Национальная Академия Наук Азербайджана

Первый cайт Азербайджана (1995)

ГЛАВНАЯ  >>  Доктора наук Института радиационных проблем

Наджафов Бахтияр Агагулу оглы
Место рождения Арм.ССР, Сисианский р-н, с. Агуди
Дата рождения 06.06.1960
Образование Азербайджанский (Бакинский) Государственный Университет
Ученая степень Доктор физ.-мат. наук
Ученое звание доцент
Название кандидатской (PhD) диссертации:

-         шифр специальности,

-         наименование специальности

-         название темы

 

01.04.10

Физика полупроводников и диэлектриков

Электрофизические и оптические свойства твердого раствора германий-кремний (Ge1-xSiix:H)

Название докторской диссертации:

-         шифр специальности,

-         наименование специальности

-         название темы

 

2211.01

Физика твердого тела

Электронные и оптические процессы в гидрогенизированных тонких пленках на основе кремния–германия и перспективы их применения

Общее количество опубликованных научных работ:

-         количество научных работ, опубликованных за рубежом

-        количество статей, опубликованных в журналах, индексируемых и реферируемых в международных базах
105

 

 

71

 

 

24

 
Количество авторских свидетельств и патентов  
Подготовка кадров:

- Кол-во кандидатов наук

- Кол-во докторов наук

 
Основные научные достижения 1. Определен прыжковый механизм при низких температурах.

2. Для соединений кремния определены прыжковая энергия, прыжковое расстояние, волновая функция для локальных состояний и плотность состояний.

3. Дана формула для определения концентрации атомов водорода в кремниевых структурах.

4. Дана структура для изготовления многослойных солнечных элементов.

Названия научных работ 1. Najafov B.A, Bakirov M.Y, Mamedov V.S. and Andreev A.A. Optical properties of amorphous hydrogenated amorphous a-Si0,90Ge0,10:Hx. // Phys. Stat. Solids, 1991, K 119-127.

2. Наджафов Б.А. Электрические свойства аморфных пленок твердого раствора Ge0,90Siо,10:Hх. // Физ. и Техн. Полупроводников, т. 34, в.11, 2000, c. 1383-1385.

3. Najafov B.A. Absorption, photoconductivity and current-voltage characteristics of amorphous Ge0,90Siо,10:H solid solutions. // Укр. Физ. журн., 2000, т. 45, №10, c. 1221-1224.

4. Наджафов Б.А., Исаков Г.И., Фигаров В.Р. Оптические свойства гидрогенизированных аморфных пленок твердого раствора a-Ge0,85Siо,15:H. // Прикладная физика, 2004, №4, с. 107-114.

5. Наджафов Б.А. ЭПР и ИК спектры поглошения аморфных пленок a-Sii-хGex:H. // AMEA-nın Xəbərləri, 2005, № 2, c. 139-144

6. Наджафов Б.А. Солнечные преобразователи на основе а-Si0,80Ge0,20:Hх. // Прикладная физика, 2005, с.97-102.

7. Najafov B.A. Solar cells based on a-Si0,80Ge0,20:H amorphous films. // Укр. Физ. журн., 2005, т. 50, № 5, р. 477-482.

8. Najafov B.A. and Isakov G.I. Electrical properties of amorphous Siо,60Ge0,40:Hx films. // Inorganic Materials, 2005, №7, vol. 41, p. 787-791.

9. Наджафов Б.А., Исаков Г.И. Оптические свойства аморфных пленок твердого раствора а-Si1-xGex:H c различной концентрацией водорода. // Журнал прикладной спектроскопии, 2005, т.72, № 3, c. 371-376.

10. Наджафов Б.А. ЭПР и ИК спектры поглошения аморфных пленок a-Sii-хGex:H. // AMEA-nın Xəbərləri, 2005, № 2, c. 139-144

11.Наджафов Б.А. Солнечные преобразователи на основе  а-Si0,80Ge0,20:Hх. // Прикладная физика, 2005, с.97-102. Najafov B.A. Solar cells based on a-Si0,80Ge0,20:H amorphous films. // Укр. Физ. журн., 2005, т. 50, № 5, р. 477-482.

12.Najafov B.A.  and  Isakov G.I. Electrical properties of amorphous Siо,60Ge0,40:Hx films. // Inorganic Materials, 2005, №7, vol. 41, p. 787-791. Наджафов Б.А., Исаков Г.И. Оптические свойства аморфных пленок твердого раствора а-Si1-xGex:H c различной концентрацией водорода. // Журнал прикладной спектроскопии, 2005, т.72, № 3, c. 371-376.

13.Najafov B.A. Photovoltaic effects in a–Si0,80Ge0,10:Hx films. // Letters in International Journal for Alternativ Energy and Ecology, 2005, № 1, p. 36-38.

14.Наджафов Б.А., Исаков Г.И. Получение пленок а-Si1-хGeх:H, изменение ее параметров от состава. // ISIAEE Solar Energy, 2006, № 4, (36), p. 51-55.

15.Фиговский О.А., Наджафов Б.А., Исаков Г.И. Рост нанокристаллических структур аморфно гидрированных пленок кремния (а-Si:H). // Вестник Дома Ученых Хайфы, Специальный выпуск, Хайфа, 2008, с.14-23.

16.Najafov B.A. and Isakov G.I. Properties of аmorphous  Sii-xGex:H (x=0-1) films. // Inorganic Materials, 2009, vol. 45, № 7. p. 713-718.

17.Najafov В.А., Fiqarov V.R. Hydrogen content evaluation in hydrogenated nanocrystalline silicon and its amorphous alloys with germanium and carbon. // International Journal of Hydrogen Energy, 35, 2010, р. 4361-4367.

18.Najafov B.A.  and  Isakov G.I. Optical and Electrical Properties  of  аmorphous   Si1-xCx:H films. // Inorganic Materials, 2010, №,6, vol. 46, p. 624-630.

Членство в республиканских, международных и зарубежных научных организациях Член-корреспондент Российской Академии Естествознания
Педагогическая деятельность  
Прочая деятельность  
Премии и награды 1. Диплом «Золотая кафедра России» Российской Академии Естествознания

2. Орден «Labore Et Scientia – Трудом и Знанием» Российской Академии Естествознания

3. Орден «Primus Inter Pares – Первый Среди Равных» Российской Академии Естествознания

4. «Заслуженный деятель науки и образования» Российской Академии Естествознания

Основное место работы и адрес Институт Радиационных Проблем НАНА, AZ1143, Азербайджанская Республика, г. Баку, Б.Вахабзаде 9
Должность Ведущий научный сотрудник
Служ. тел. (+994 12) 5383224
Моб. тел. (+994 50) 3998966
Дом. тел (+994 12) 4771866
Факс  
Э-почта bnajafov@rambler.ru