Национальная Академия Наук Азербайджана

Первый cайт Азербайджана (1995)

ГЛАВНАЯ  >>  Институты и организации  >>  Лаборатория наноструктуры в полупроводниках

Лаборатория наноструктуры в полупроводниках
Тел. (+994 12) 5393218 
Факс (+994 12) 5395961  
Электронный адрес zangi@physics.ab.az 
Заведующий структурным подразделением Д.ф.м.н. Аждаров Гусну-Джанги Халил оглы 
Общее количество сотрудников
Основные направления деятельности структурного подразделения  Электронные свойства и технология легированных алмазоподобных полупроводников. 
Основные научные результаты структурного подразделения Выявлены особенности электронных свойств легированных кристаллов полупроводниковых   твердых  растворов, обусловленные составом и структурой нанообъемов вокруг примесных атомов.

Установлен энергетический спектр основных состояний широкого ряда глубоких и мелких примесных центров в кристаллах системы  германий-кремний. Определены основные механизмы рассеяния электронов и дырок в  кристаллах  Ge-Si в широком интервале температур.

Развиты физико-математические основы выращивания легированных кристаллов твердых растворов с заданным распределением компонентов и примесей. Предложены инновационные методы выращивания и легирования объемных кристаллов системы германий-кремний.

Экспериментально показано, что в алмазоподобных кристаллах А 3 В 5 вультраквантовом режиме имеет место большое отрицательное продольное магнетосопротивление.

Две диссертационные работы на доктора философии, выполненные в лаборатории (направленные на получение и исследование электронных свойств сложнолегированных кристаллов  Ge-Si),  опубликованы в статусе  монографий в 2013 г. издательством  “Lambert Academic Publishing”, Германия.