Тел. |
(+994 12) 4383224 050 660 97 15 |
|
Факс | (+994 12) 5398318 | |
Электронный адрес | msrahim@mail.ru | |
Заведующий структурным подразделением | Мадатов Рагим Салим оглы Доктор физико-математических наук, профессор |
|
Общее количество сотрудников | 13 | |
Основные направления деятельности структурного подразделения | Разработка методов повышения радиационной стойкости полупроводниковых материалов; разработка научных основ радиационно-стойких устройств. | |
Основные научные результаты структурного подразделения |
1. Определены механизмы радиационного дефектообразования и процессы заваривания легированных (Yb, Er, Gd) и первичных слоистых монокристаллов GaS и GaSe, а также устойчивость к гамма-квантам в широком диапазоне температур, освещенности и напряженности электрического поля. Показано, что радиационно-стимулирующие процессы, возникающие в результате взаимодействия радиационных дефектов, образующихся под катионной и анионной решетками кристалла, со структурными и аддитивными дефектами, позволяют целенаправленно управлять электрическими, оптическими и фотоэлектрическими свойствами. слоистых кристаллов и создание на их основе эффективных фотоприемников и фотопреобразователей. 2. Установлено, что фотопроводимость слоистых кристаллов GaS (Yb, Sm) в полосе поглощения обусловлена регулированием негладкого потенциала энергетических уровней поверхности под действием внешнего электрического поля. Степень сглаживания поверхностного потенциала зависит от дозы облучения, концентрации аддитивных атомов, а также величины и направления внешнего поля. 3. Неравномерное распределение дефектов на поверхности слоистого монокристалла GaS:Yb с размерами ~ 30-40 нм и периодичностью ~ 16 нм зависит от дозы облучения заряженными частицами и гамма-квантами и степени примеси. По мере увеличения дозы облучения и концентрации примесных атомов степень шероховатости уменьшается экспоненциально. |