Национальная Академия Наук Азербайджана

Первый cайт Азербайджана (1995)

ГЛАВНАЯ  >>  Институты и организации  >>  Лаборатория радиационной физики полупроводников

Лаборатория радиационной физики полупроводников
Тел.

(+994 12) 4383224

050 660 97 15

Факс (+994 12) 5398318 
Электронный адрес msrahim@mail.ru 
Заведующий структурным подразделением Мадатов Рагим Салим оглы 
Доктор физико-математических наук, профессор 
Общее количество сотрудников 13
Основные направления деятельности структурного подразделения  Разработка методов повышения радиационной стойкости полупроводниковых материалов; разработка научных основ радиационно-стойких устройств.
Основные научные результаты структурного подразделения

1. Определены механизмы радиационного дефектообразования и процессы заваривания легированных (Yb, Er, Gd) и первичных слоистых монокристаллов GaS и GaSe, а также устойчивость к гамма-квантам в широком диапазоне температур, освещенности и напряженности электрического поля. Показано, что радиационно-стимулирующие процессы, возникающие в результате взаимодействия радиационных дефектов, образующихся под катионной и анионной решетками кристалла, со структурными и аддитивными дефектами, позволяют целенаправленно управлять электрическими, оптическими и фотоэлектрическими свойствами. слоистых кристаллов и создание на их основе эффективных фотоприемников и фотопреобразователей.

2. Установлено, что фотопроводимость слоистых кристаллов GaS (Yb, Sm) в полосе поглощения обусловлена регулированием негладкого потенциала энергетических уровней поверхности под действием внешнего электрического поля. Степень сглаживания поверхностного потенциала зависит от дозы облучения, концентрации аддитивных атомов, а также величины и направления внешнего поля.

3. Неравномерное распределение дефектов на поверхности слоистого монокристалла GaS:Yb с размерами ~ 30-40 нм и периодичностью ~ 16 нм зависит от дозы облучения заряженными частицами и гамма-квантами и степени примеси. По мере увеличения дозы облучения и концентрации примесных атомов степень шероховатости уменьшается экспоненциально.