Национальная Академия Наук Азербайджана

Доктор физ.-мат. наук, профессор

1.Установлено, что особенности, наблюдаемые на температурной зависимости электропроводности (σ(T)) облученных γ-квантами образцов твердых растворов системы TlSe1-xS2x выше комнатной температуре, связаны с переходом кристалла в суперионное состояние. Предложен механизм, объясняющий наблюдаемый характер проводимости, и показано, что наблюдаемая ионная проводимость связана с диффузией ионов Tl+ по вакансиям в подрешетке таллия.

2.Исследованы спектры комплексного импеданса исходных и облученных γ-квантами твердых растворов системы TlSe1-xS2x. По кривым годограммы импеданса, определена что в γ-облученных образцах появляются диффузионный импеданс Варбурга. Лучи на диаграмме импеданса связаны с диффузным импедансом Варбурга и показывает, что синусоидальный сигнал от перемешения ионов в измеренном частотном диапазоне не достигаеть границы диффузионного слоя.

3.Исследована электропроводность облученных в различных дозах слоистых и цепочечных кристаллов TlBX2 (B = In, Ga; X = S, Se, Te) и твердых растворов на их основе в интервале температур 100-300 К и были определены температурные интервалы прыжковой проводимости. На основе приближения Мотта установлено, что значения параметров прыжковой проводимости существенно изменяются в зависимости от состава и дозы γ-облучения.