Azərbaycan Milli Elmlər Akademiyası

1.Müəyyən edilmişdir ki, γ-kvantlarla şüalanmış TlSe1-xS2x sistemli bərk məhlul nümunələrinin elektrik keçiriciliyinin temperatur asılılığında (σ(T)) otaq temperaturlarından yuxarı temperaturlarda müşahidə olunan xüsusiyyətlər kristalın superion halına keçidi ilə bağlıdır. Keçiriciliyin müşahidə edilən xarakterini izah edən mexanizm təklif edilmiş və göstərilmişdir ki, müşahidə edilən ion keçiriciliyi Tl+ ionlarının tallium altqəfəsində vakansiyalar üzrə diffuziyası ilə əlaqədardır.

2.İlkin və γ-kvantla şüalanmış TlSe1-xS2x sistemli bərk məhlullarda  kompleks impedans spektrlərinin öyrənilmışdır. γ-şüalanmadan sonra alınan impedans qodoqraf əyrilərindən Varburqun diffuziya impedansının yarandığı müəyyən edilmişdir. İmpedans diaqramındakı şüalar, Varburqun diffuz impedansı ilə bağlıdır və bunun da əsasında verilmiş ionlarının sinusoidal siqnalının tezlik diapazonunda diffuziya layı sərhədinə çata bilməməsi dayanır.

3. Мüxtəlif dozalarda şüalanmış TlBX2 (B = In, Ga; X = S, Se, Te) laylı və zəncirvari quruluşlu kristalların və onlar əsasında yaranan bərk məhlulların 100-300 K temperatur intervalında elektrikkeçiriciliyi tədqiq olunmuş və sıçrayışlı keçiriciliyin temperatur intervalları müəyyən edilmişdir. Mott yaxınlaşmasına əsasən müəyyən edilmişdir ki, sıçrayışlı keçiriciliyin parametrlərinin qiymətləri tərkibdən və γ-şüalanmanın dozasından  asılı olaraq əhəmiyyətli dərəcədə dəyişir.