Национальная Академия Наук Азербайджана

Доктор физических наук

Круг исследуемых соединений широк – слоистые соединения АIIIВVI (А-Ga,In, C-S,Sе,Te), АV2ВVI3 (А-Bi,Sb, C- Sе,Te), АIIIВIIIСVI2 (А-Tl, B-Ga,In, C-S,Se,Te) и др., а также сложные алмазоподобные соединения, кристаллизующиеся в тетрагональной структуре АIIВIII2СVI4 (А-Сd,Zn, B-Ga,In, C-S,Se,Te), AIBIIIC2VI (А-Сu,Ag, B-Ga,In, C-S,Se,Te).

а) Cинтезированы и выращены монокристаллы CdGa2S4, CdGa2Se4, ZnGa2Se4 и твердые растворы на их основе. Проведены рентгендифрактометрические исследования, теоретико-групповой анализ электронных состояний в высокосимметричных точках зоны Бриллюэна;

б) В результате совместного анализа экспериментальных результатов и теоретико-групповых исследований установлено: -- - характер зоны Бриллюэна Г(000) оптических переходов в высокосимметричных точках зоны Бриллюэна; - структура вершины валентной эоны и ее параметры - кристаллическое и спин-орбитальное расщепления; - в формирование вершины валентной зоны основной вклад вносят р-состояния трехвалентных катионов;

в) Из температурных зависимостей смещения края собственного поглощения вычислены деформационные потенциалы вершины валентной зоны и дна зоны проводимости в центре зоны Бриллюэна Г(000)

2. Следующая часть работ связана с исследованиями динамики решетки тетрагональных соединений:

а) Исследованы спектры инфракрасного отражения и комбинационного рассеяния света. наблюдаемые частоты фононов идентифицированы по типам симметрии;

б) Методом теории групп построены симметризованные смещения атомов в элементарной ячейке;

в) В результате совместного анализа наблюдаемых оптических фононов и симметризованных смещений атомов в элементарной ячейке установлено соответствие между частотами фононов и конкретными смещениями атомов в элементарной ячейке;

г) В модели силовых постоянных проведен расчет силовых констант межатомных связей. Установлена природа химической связи.

д) В результате анализа температурной зависимости оптических фононов в CdGa2Se4 (8-300К) установлено наличие фонон-фононного взаимодействия в плоскрсти ху (перелечение оптических ветвей с акустическими ветвями).

е) Исследована зависимость оптических фононов от давления в интервает 0-20GPA.вычислены барические коэффициенты, парамтрыетры Грюнайзена, объемный модуль упругости.

ж) Следующий цикл работ связан с исследованиями неравновесных процессов (фотопроводимость,фотолюминесценция) и влияния внешних факторов (температура, различные примеси,интенсивность падающего излучения и др.) в тетрагональных соединениях. В результате проведены исследований установлены спектр локальных состояний.их параметры,механизм генерационно-рекомбинационных процессов.

З. В широком интервале температур (1,2-300К) и магнитных полей (0-8Т) экспериментально исследованы электрические и гальваномагнитные явления в сильно анизотропных слоистых кристаллах типа АIIIВVI и АV2BVI3 и твердых растворах на их основе. Установлены особенности переноса заряда в различных кристаллографических направлениях и температурных интервалах, влияние различных примесей на тип проводимости, концентрацию и подвижности носителей заряда. Вычислены характеристические параметры центров локализации (плотность локализованных состояний, концентрацию и радиус локализованных центров и др.)

Вышеперечисленные научные результаты являются весомым вкладом в физику твердого тела. Эти результаты имеют важное значение при объяснении физических процессов протекающих в полупроводниках, расчетах энергетического спектра (электронного, фононного), при объяснении тепловых процессов, расчетах термодинамических параметров и др.

Результаты научных исследований опубликованы в более чем 200 научных работах на страницах цитируемых журналов в республиканской и зарубежной печати. Опубликованные работы цитируются в 291 научных работах, в 126 после 2010 года.