Национальная Академия Наук Азербайджана

Член корр. НАНА Самедов Октай Абиль оглы

1. Выше темперауры 300К (параэлектрическая фаза)  обнаружены  аномалии в температурных зависимостях диэлектрической проницаемости и тангенсе угла потер кристаллов TlGaSe2 (T=415K и T=532K).

2. Исследованы комплексные диэлектрические характеристики  кристаллов TlGaSe2 в области температур100-550 K и частот 102−106 Гц. Показано, что в температурном интервале 415K÷532K  кристаллы TlGaSe2 имеют ионную проводимость. Применяя метод эквивалентных схем замешений анализированы зависимости Z″=f (Z′) и определены границы частотной области соответствуюший каждому температуру.

3. Показано, что граница высокочастотной области в зависимостях Z″=f (Z′) кристаллов TlGaSe2 облученных до дозы 200кГр смешается в сторону низких частот и наблюдается две гадограммы. И исходных и облученных кристаллах TlGaSe2 в низких температурах преобладает электронный механизм проводимости а в высоких температурах ионный механизм.