Tel. | (99412) 539 33 91 | |
Faks | (+994 12) 5398318 | |
Elektron poçtu | o.samedov@rambler.ru | |
Struktur bölmənin rəhbəri |
AMEA-nın müxbir üzvü Səmədov Oqtay Əbil oğlu |
|
İşçilərin ümumi sayı | 15 | |
Əsas fəaliyyət istiqamətləri | TlInS2 və TlGaSe2 kimi kristalların və bərk məhlulların dielektrik və elektrik relaksasiyası, impedans spektri və faza keçidlərinə ionlaşdırıcı radiasiyanın təsirinin tədqiqi. | |
Əsas elmi nəticələri |
1. Müəyyən olunmuşdur ki, TlGaSe2 kristalında 300K-dən yuxarı temperaturlarda (paraelektrik fazada) dielektrik nüfuzluğunun və itki bucağının tangensinin temperaturdan asılılıqlarında anomaliyalar mövcuddur. (T=415K və T=532K) 2. TlGaSe2 kristalının (Z٭(f)) kompleks impedans və kompleks dielektrik spektri 100-550 K temperatur və 102−106 Hs tezlik intervalında tədqiq olunmuşdur. Göstərilmişdir ki, 415K÷532K temperatur intervalında TlGaSe2 kristalı ion keçiriciliyinə malik olur. Ekvivalent sxem əvəzləmələri üsulundan istifadə etməklə (Z″−Z′) kompleks müstəvi diaqramları analiz olunmuşdur və tezlik oblastının sərhəddi hər bir temperatur üçün təyin olunmuşdur. 3. Müəyуən olunmuşdur ki, 20Mrad dozada γ- kvantlarla şüalanmış TlGaSe2 kristalının (Z″−Z′) kompleks müstəvi diaqramlarında yüksək tezlikli oblastının sərhəddi tezliyin azalması istiqamətinə doğru sürüşür və (Z″−Z′) kompleks müstəvi diaqramlarında iki qadoqramma müşahidə olunur. Həm şüalanmış həmdə şüalanmamış TlGaSe2 kristalında keçiriciliyin mexanizmi təyin olunmuşdur ( elektron və yuxarı temperaturlarda isə ion). Polyarizasiyanın tipi: elektron və ion–relaksasiya polyarizasiyasıdır. |