Национальная Академия Наук Азербайджана

Первый cайт Азербайджана (1995)

ГЛАВНАЯ  >>  Институты и организации  >>  Лаборатория синтеза компонентов функциональных материалов

Лаборатория синтеза компонентов функциональных материалов
Тел.

(+994 50) 3687364

(+994 12) 5108592
Факс (+994 12) 5107442 
Электронный адрес laboratory_21@kqki.science.az
Заведующий структурным подразделением Имир Ильяс оглы Алиев

Доктор химических наук, профессор

Общее количество сотрудников 15 
Основные направления деятельности структурного подразделения  Получение новых полупроводниковых материалов с фотоэлектрическими и оптическими свойствами на основе сульфидов и селенидов элементов подгруппы германия и мышьяка 
Основные научные результаты структурного подразделения 1.Фоточувствительные материалы, полученные на основе стеклообразных сплавов в системе (As2S3)1-x(TlSe)x использованы в ИК-оптике. В фоточувствительных лентах, приготовленных на основе этих образцов, с помощью инфракрасного (ИК) излучения в темноте можно получить фотоизображения. Эти образцы чувствительны в видимой и близкой инфракрасной области спектра.

2. В системе (As2S3)1-x(CdSe)x на основе селенида мышьяка получены фоточувствительные полупроводниковые материалы высокого сопротивления и предложены в качестве фоторезистора. Эти образцы испытаны в почтовом ящике № Х05995 города Нальчик и были получены положительные результаты. На основе этого образца изготовлена электронная трубка излучения.

3.Изучена зависимость фотоэлектрической проводимости от длин волн сплавов состава (CaIn2Se4)1-x(CaSe)x (х=0,02; 0,025; 0,03) и в результате установлено, что эти образцы фоточувствительны в видимой области спектра. При введении в состав соединения CaIn2Se4 2 мол. % CaSe величина его фототока была 4.10-8А. Максимальный фототок в этом образце получается при длине волны 630 мкм. Названный образец является довольно высокочувствительным. Материалы могут быть использованы в качестве фоторезистора, работающие при низких напряжениях в измерительных приборах в фотоэлектронике.

4. Изучена фотоэлектрическая проводимость от длины волны в тонкой пленке (Аs2Sе3)1-х(TlSe)х(х=0,050,10). С этой целью изучена спектральная зависимость фототока образцов с составами 5, 7 и 10 мол. % TlSe . С введением в соединения Аs2Sе3 5, 7 и 10 мол. % TlSe максимальная величина фототока приобретает значение I= 1110-12 А, 11,510-12 А və 9,510-12 А, соответственно. Образец, имеющий 7 мол. % TlSe в качестве фоточувствительного материала может быть использован в фотоэлектронике.