Tel. |
(+994 50) 3687364 (+994 12) 5108592 |
|
Faks | (+994 12) 5107442 | |
Elektron poçtu | laboratory_21@kqki.science.az | |
Struktur bölmənin rəhbəri | İmir İlyas oğlu Əliyev
Kimya elmləri doktoru, professor |
|
İşçilərin ümumi sayı | 15 | |
Əsas fəaliyyət istiqamətləri | Germanium və arsen yarımqrupu elementlərinin sulfidləri və selenidləri əsasında fotoelektrik və optik xassələrə malik yeni yarımkeçirici materialların alınması. | |
Əsas elmi nəticələri | 1.(As2S3)1-x(TlSe)x sistemində şüşəvarı ərintilər əsasında alınmış fotohəssas materiallar İQ-optikada istifadə olumuşdur. Bu nümunələr əsasında hazırlanmış fotohəssas lentlərdə infraqırmızı şüaların vasitəsilə qaranlıqda fototəsvirləri almağa imkan verir. Həmin nümunə spektrin görünmə və yaxın infraqırmızı sahəsində fotohəssasdır. 2. (As2S3)1-x(CdSe)x sistemində arsen selenidi əsasında yüksək müqavimətli fotohəssas yarımkeçirici materiallar alınmış və fotorezistor kimi təklif olunmuşdur. Həmin nümunə Nalçik səhərində №Х-5995 saylı poçta qutusunda sınaqdan keçirilmiş və müsbət nəticə vermişdir. Bu nümunə əsasında ,,Vidikon” markalı elektron şüa borusu hazırlamışdır. Nəticələr müəlliflik şəhadətnaməsi ilə öz təsdiqini tapmışdır. 3. (CaIn2Se4)1-x(CaSe)x (х=0,02; 0,025; 0,03) tərkibli ərintilərin fotoelektrik keçiriciliyinin dalğa uzunluğundan asılılığı öyrənilmiş və nəticədə müəyyən edilmişdir ki, bu nümunələr spektrin görünmə sahəsində fotohəssasdırlar. CaIn2Se4 birləşməsinin tərkibinə 2 mol % CaSe əlavə etdikdə λ = 630 mkm dalğa uzunluğunda fotocərəyanın maksimal qiyməti 4.10-8 A olmuşdur. Bu nümunə kifayət qədər yüksək fotohəssas material olub, kiçik gərginliklərdə işləyə bilən fotorezistor kimi, fotoelektronikada ölçü cihazlarında istifadə oluna bilər. 4. (Аs2Sе3)1-х(TlSe)х(х=0,05¸0,10) nazik təbəqəsində fotoelektrik keçiriciliyinin dalğa uzunluğundan asılılığı öyrənilmişdir. Bu məqsədlə 5, 7 və 10 mol % TlSe tərkibli nümunələrin spektral asılılığı öyrənilmişdir. Аs2Sе3 birləşməsinə 5, 7 və 10 mol % TlSe əlavə edilməsi ilə fotocərəyanın maksimal qiyməti uyğun olaraq I= 11×10-12 А, 11,5×10-12 А və 9,5×10-12А kimidir. 7 mol % TlSe tərkibli nümunə fotohəssas material kimi fotoelektronikada istifadə oluna bilər. |