Səmədov Oqtay Əbil oğlu

 

Anadan olduğu yer Azərbaycan Respublikası, Neftçala rayonu 
Təvəllüdü 05.04.1952
Bitirdiyi ali təhsil müəssisəsi Azərbaycan (Bakı) Dövlət Universiteti 
Elmi dərəcəsi Fizika-riyaziyyat elmləri doktoru 
Elmi rütbəsi Professor 
Namizədlik (PhD) dissertasiyasının mövzusu:

-         ixtisas şifri

-         ixtisasın adı

-         mövzunun adı

 

01.04.07

Bərk cisimlər fizikası

Bəzi oksigen-oktaedrik quruluşlu spontan -polyarizasiya olunmuş kristallarda faza keçidlərinin dlielektrik və piroelektrik tədqiqi

Doktorluq dissertasiyasının mövzusu:

-         ixtisas şifri

-         ixtisasın adı

-         mövzunun adı

 

01.04.10

Yarımkeçiricilər və dielektriklər fizikası

TlİnS2və TlGaSe2 kristalları əsasında relaksor seqnetoelektriklər

Müxbir üzv seçilməsi

-        tarix

-        ixtisasın adı



2017

Radiasiya materialşünaslığı
Çapdan çıxmış elmi əsərlərinin ümumi sayı

-         xaricdə çıxmış elmi əsərlərinin sayı

-         beynəlxalq bazalarda referatlaşdırılan və indeksləşdirilən jurnallarda çap olunan məqalələrin sayı

191

 

43

 

33

Müəlliflik şəhadətnamələrinin və patentlərin sayı 1
Kadr hazırlığı:     

-         fəlsəfə doktorlarının sayı

-        elmlər doktorlarının sayı


3

1

Əsas elmi nailiyyətləri 1. Spontan-poyarizasiyalı kristallarda ardıcıl faza keçidləri üçün qanunauyğunluqlar verilmişdir.

2. İlk dəfə olaraq TlInS2və TlGaSe2kristalları əsasında, yeni relaksor seqnetoelektriklər sinfi aşkar edilmişdir.

3. İlk dəfə olaraq TlGaTe2, TlInSe2və TlInTe2kristallarında superion keçiriciliyi müəyyən edilmişdir.
Elmi əsərlərinin adları 1. Ferroelectricity and polytypism in TlGaSe2 crystals. Solid State Com, 1991, v.77, N.6, 453

2. The spontaneous relaxor-ferroelectric transition of TlInS2 with cationic impurities. Journal of Optoelectronics and Advanced Materials (JOAM), 2003, v.5, No.3, 276


3. Relaxor properties of TlInS2 composites with nanodomain state. Ferroelectrics, 2004, v.298, 275.

4. Релаксорные свойства и механизм проводимости γ -облученных кристаллов TlInS2. ФТТ, 2005,т.47,вып.9, 1665

5. Dielectric properties, conduction mechanism and possibility of nanodomain state with quantum dot formation in gamma-irradiated impurity-doped incommensurate TlInS2.Physica Status solidi (A}2006, 203, No. 11, 2845

6. Conduction anisotrjpy of intercalated  relaxor TlInS2<Ge>ferroelectrics. Russia /CIS/  Baltik /Japan Symposium on Ferroelectricity RCBJSF-9,Vilnius, Lathuania, 2008, 561

7. Features of conductivity anisotropy of intercalated nanodimensional relaxor TlInS2<Ge>. Journal ”ScientificIsrael-Technological Advantages” Material engineering ,2009, v.11, no.1,99     

8. Особенности проводимости γ – облученных кристаллов TlGaTe2  с наноцепочечной структурой. ФТП, 2010,том 44, вып.5, 610

9. Гигантская диэлектрическая релаксация в кристаллах TlGaTe2.ФТТ, 2011, т.53, вып.8, 1488

10. Суперионная проводимость кристаллах В TlGaTe2 .ФТП, 2011,том 45, вып.8, 1009

11. Superionic conductivity in One-Dimensional Nanofibrous TiGaTe2 Crystals. Japanese J.Appl. Physics.50 (2011), 05FCO9-1

12. Суперионнaя проводимость, эффекты переключения и памяти в кристаллах TlInTe2 и TlInSe2. ФТП, 2011, том 45, вып.11,1441

13. Superionic Conductivity and γ -Radiation-Induced Effects in Nanofibrous TlGaTe2 Crystals. International Journal of .Theoretical and Applied Nanotechnology.vol.1,Isse1, 2012.p.20-28.

14. Ионная проводимость и диэлектрическая релаксация в кристаллах TlGaTe2облученных γ – квантами. ФТП, 2013, т. 47, в. 5. с.696-701.

15. Поляризация вызванная объемыми зарядами, и ионная проводимость в кристаллах TlInSe2. ФТП, 2014, т. 48, в. 4. с.442-447.

16. Prospective Application of A3B3C62 Type Semiconductors for Developing Nano-size Electronic Devices. International Journal of Theoretical and Applied Nanotechnology Volume 2, Issue 1, Year 2014 Journal ISSN: 1929-2724 DOI: 10.11159/ijtan.2014.00

Respublika, beynəlxalq və xarici ölkələrin elmi qurumlarında üzvlüyü   
Pedaqoji fəaliyyəti  
Digər fəaliyyəti   
Təltif və mükafatları AMEA-nın Fəxri fərmanı
Əsas iş yeri və ünvanı AMEA Radiasiya Problemləri İnstitutu, AZ1143, Azərbaycan Respublikası, Bakı ş., B.Vahabzadə küç.9
Vəzifəsi Direktor
Xidməti tel. (+994 12) 5383224
Mobil tel. (+994 50) 3100360  
Ev tel. (+994 12) 3717002
Faks  
Elektron poçtu o.samedov@rambler.ru