Azərbaycan Milli Elmlər Akademiyası

AR Elm və Təhsil Nazirliyinin Kataliz və Qeyri-üzvi Kimya İnstitutunun Nanoelektrokimya və elektrokataliz laboratoriyasının elmi işçisi Sevinc Cavadova 11-12 noyabrda Türkiyənin İKSAD İnstitutunun rəhbərliyi ilə Azərbaycan Texniki Universitetində keçirilən “International Conference on Engineering Sciences” konfransında “Optimal mode for obtaining Bi2Se3 thin films BY electrochemical method” adlı məruzə ilə çıxış edib.

Məruzə termoelektrik material, topoloji izolyator kimi tanınan Bi2Se3 yarımkeçirici nazik təbəqələrinin sintezinə həsr edilib. Bu məqsədlə optimal elektrolit tərkibini təyin etmək üçün qalvanostatik rejimdə çökdürülmüş Bi2Se3 təbəqələrinin tərkibinə müxtəlif amillərin (başlanğıc komponentlərinin qatılığı, temperatur, cərəyan sıxlığı, elektroliz müddəti) təsiri tədqiq edilib. Təcrübələr Ni elektrodu səthində aparılıb. Nəticələr göstərir ki, cərəyan sıxlığı və H2SeO3 qatılığının artması ilə nazik təbəqələrdə bismutun miqdarı azalır. Elektrolitin temperaturu, Bi(NO3)3•5H2O qatılığı və elektroliz müddətinin artması ilə nazik təbəqələrdə bismutun miqdarı artır. Alınan nəticələr əsasında stexiometrik tərkibə yaxın Bi2Se3 nazik təbəqələrinin alınması üçün elektrokimyəvi çökmənin optimal rejimi və elektrolitin tərkibi seçilib. Elektrolit tərkibi (mol/l) 0,07 Bi(NO3)3 ×5H2O + 0,03H2SeO3 + C6H8O7, T = 298 K, cərəyan sıxlığı 2,5 A/dm2, elektroliz müddəti 10 dəq.

© Bütün hüquqlar qorunur. Xəbərlərdən istifadə edərkən www.science.gov.az saytına istinad zəruridir.