Azərbaycan Milli Elmlər Akademiyası

Azərbaycanın ilk veb saytı (1995)

ANA SƏHİFƏ  >>  Fizika İnstitutunun fəlsəfə doktorları

Mir-Bağırov Vladislav Vladislavoviç

 

Anadan olduğu yer Rusiya Federasiyası, Moskva 
Təvəllüdü 04.05.1961  
Bitirdiyi ali təhsil müəssisəsi Bakı Dövlət Universiteti 
Elmi dərəcəsi Fizika-riyaziyyat elmlər üzrə fəlsəfə doktoru
Elmi rütbəsi  
Namizədlik (PhD) dissertasiyasının mövzusu:

- ixtisas şifri

- ixtisasın adı

- mövzunun adı

 

01.04.10

Yarımkeçiricilər və dielektriklər fizikası

“Germanium-silisium bərk məhlul kristallarında mis aşqarının əsas səviyyələrinin spektri”

Çapdan çıxmış elmi əsərlərinin ümumi sayı

- xaricdə çıxmış elmi əsərlərinin sayı

- beynəlxalq bazalarda referatlaşdırılan və indeksləşdirilən jurnallarda çap olunan məqalələrin sayı

27

 

7

 

Müəlliflik şəhadətnamələrinin və patentlərin sayı  
Kadr hazırlığı:     

- fəlsəfə doktorlarının sayı

 
Əsas elmi nailiyyətləri Bərk məhlullar üçün kristalların virtual modeli çərçivəsində və Pfan yaxınlaşmasında ənənəvi və modernləşdirilmiş Bricmen üsulları ilə göyərdilmış binal sistemlərin kristallarında komponentlərin və aşqarların paylanmasının riyazi məsəlləri həll edilmişdir.

Teoretik nəticələri nəzərə almaqla   müxtəlif aşqarları ilə leqirə  olunmuş Ge-Si yarımkeçirici kristallar ənənəvi və modernləşdirilmiş Bricmen üsulları ilə göyərdilmişdir və Hall ölçmələri aparmaqla onların elektrofiziki xassələri öyrəndilmişdir. 

Elmi əsərlərinin adları

1. Аждаров Г.Х., Захрабекова З.М., Кязимова В.К., Мир-Багиров В.В. Моделирование влияния длины зоны расплава на концентрационный профиль компонентов в твердых растворах InSb-AlSb при зонной перекристаллизации. Xəbərlər, fizika-riyyəz. seriyası, 2016, c. XXXVI, № 5

2. Аждаров Г.Х., Кязимова В.К., БагироваС.М.,Мир-Багиров В.В., Гусейнли Л.А. Концентрационный профиль компонентов в кристаллах InAs-GaAs, выращенных методом подпитки расплава вторым компонентом с использованием InAs затравки // Xəbərlər, fizika-riyyəz. seriyası, 2014, c XXXIV, № 2

3. Аждаров Г.Х., Багирова С.М., Агамалиев З.А., Мир-Багиров В.В. Моделирование распределения компонентов в твёрдых растворах InSb-GaSb, выращенных методом зонной плавки // Xəbərlər, fiz.-riy. seriyasi, 2009,c. XXIX, № 5, s. 121-124

4. Аждаров Г.Х., Багирова С.М., Гусейнова Э.С., Мир-Багиров В.В. Условия выращивания полностью однородных монокристаллов Ga1-x Inx Sb методом двойной подпитки расплава // Матер. Конф. Физика – 2005 Баку, c. 240-242

5. Аждаров Г.Х., Кязимзаде Р.З., Мир-Багиров В.В. Акцепторные уровни замещающих атомов примеси меди в кристаллах Ge-Si // Физика и техника полупроводни-ков, 1992, №3

6. Аждаров Г.Х., Агаев Н.А., Мир –Багиров В.В. О возможности получения однородных монокристаллов бинарных твёрдых растворов методом подпитки расплава вторым компонентом // Изв. АН СССР, Неорганические материалы, 1989, №7,т.25

Respublika, beynəlxalq və xarici ölkələrin elmi qurumlarında üzvlüyü   
Pedaqoji fəaliyyəti  
Digər fəaliyyəti   
Təltif və mükafatları  
Əsas iş yeri və ünvanı AMEA Fizika İnstitutuAZ1143, Bakı ş., H.Cavid pr., 131
Vəzifəsi Böyük elmi işçi 
Xidməti tel.  
Mobil tel. (+994 55) 5990961 
Ev tel. (+994 12) 4921600 
Faks  
Elektron poçtu mirbagirov.v@gmail.com